[发明专利]基板磨削装置以及基板磨削方法

说明书

本发明提供一种基板磨削装置以及基板磨削方法。基板磨削装置具备：工作台，在吸附并保持基板的状态下旋转；杯形的第一磨削砂轮，一边旋转一边磨削保持于所述工作台并旋转的所述基板；以及杯形的第二磨削砂轮，与所述第一磨削砂轮同时接近所述基板而一边旋转一边磨削所述基板。

本申请以2018年09月13日向日本专利局提交的日本专利申请2018-171475为基础，享受该申请的优先权。本申请通过参照该申请而包括该申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及基板磨削装置以及基板磨削方法。

背景技术

以往，作为基板磨削方法，通过将旋转的杯形的磨削砂轮向下切入到保持于工作台而旋转的加工对象物的基板的上表面来磨削基板已被公众所知。例如，在日本专利发明公报特开2017-103441号中发明了通过杯形磨削砂轮对固定在吸附卡盘上的硅基板进行向下切入磨削加工。

此外，例如在日本专利发明公报特开2009-4406号中发明了具备由粗磨削用的磨削单元和精磨削用的磨削单元构成的两台磨削单元的半导体晶片的磨削装置。根据该文献所发明的磨削装置，通过转台向R方向旋转规定角度，将保持于卡盘工作台的晶片送入粗磨削用磨削单元的下方的一次加工位置。晶片在该位置处由粗磨削用的磨削单元粗磨削。接着，通过转台再次向R方向旋转规定角度，将晶片送入精磨削用的磨削单元的下方的二次加工位置。晶片在该位置处由精磨削用的磨削单元精磨削。

此外，例如在日本专利发明公报特开2014－65082号中发明了保持在保持工作台上的蓝宝石、SiC或者GaN等基板用的磨削装置。在该磨削装置中，设定有用于粗磨削基板的粗磨削位置、用于中磨削基板的中磨削位置以及用于精磨削基板的精磨削位置。在粗磨削位置、中磨削位置和精磨削位置分别设置有磨削装置。进而，这些磨削装置呈直线状配置。按照粗磨削、中磨削和精磨削的顺序对基板进行串联处理。

发明内容

一种基板磨削装置，具备：工作台，在吸附并保持基板的状态下旋转；杯形的第一磨削砂轮，一边旋转一边磨削保持于所述工作台并旋转的所述基板；以及杯形的第二磨削砂轮，与所述第一磨削砂轮同时接近所述基板而一边旋转一边磨削所述基板，所述第一磨削砂轮的粒度大于所述第二磨削砂轮的粒度，所述第一磨削砂轮构成为其磨削范围具有大于所述工作台的半径的直径，并且设置在所述磨削范围包括所述基板的旋转中心的位置，所述第二磨削砂轮构成为其磨削范围具有大于所述工作台的半径的直径，并且设置在接近所述基板的旋转中心且不与所述第一磨削砂轮接触的位置。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的基板磨削装置的概要的俯视图。

图2是表示本发明的实施方式的基板磨削装置的磨削台附近的俯视图。

图3是示意性地表示本发明的实施方式的基板磨削装置的磨削台附近的纵截面图。

图4是示意性地表示本发明的实施方式的基板磨削装置的粗磨削工序中的基板的旋转中心附近的纵截面图。

图5是示意性地表示本发明的实施方式的基板磨削装置的精磨削工序中的基板的旋转中心附近的纵截面图。

图6是示意性地表示本发明的实施方式的基板磨削装置的精磨削工序中的基板的旋转中心附近的纵截面图。

附图标记说明：

10：基板磨削装置；11：精磨削砂轮；12：砂轮刃尖；14：精磨削立柱；15：粗磨削砂轮；16：砂轮刃尖；18：粗磨削立柱；20：工作台；21：旋转中心；22：粘贴壳体；23：待机台；24：磨削台；25：控制盘；26：尺寸确定装置；30：基板；31：上表面；32：凸部。

具体实施方式