[发明专利]基板载置机构、成膜装置以及成膜方法在审
申请号: | 201910863442.1 | 申请日: | 2019-09-12 |
公开(公告)号: | CN110904421A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C14/50 | 分类号: | C23C14/50;C23C14/34 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板载置 机构 装置 以及 方法 | ||
本发明提供基板载置机构、成膜装置以及成膜方法,能够在成膜装置内高效且均匀地将基板冷却至极低温,并且能够在成膜处理过程中使载置于载置台的基板旋转。基板载置机构具备:载置台,其具有用于载置基板的基板载置面;冷却头,其被设置为与载置台相向,所述冷却头通过冷冻机来被冷却至极低温;接触分离机构,其使载置台与冷却头之间接触分离;旋转机构,其使载置台旋转;以及控制部。除成膜时以外,控制部利用接触分离机构来使载置台与冷却头成为接触的状态,在该状态下将基板载置于载置台,在成膜时,控制部在利用接触分离机构使载置台与冷却头分离的状态下利用旋转机构来使载置台旋转。
技术领域
本公开涉及一种基板载置机构、成膜装置以及成膜方法。
背景技术
作为半导体基板等基板的处理装置、例如成膜装置,存在需要极低温的处理。例如已知一种在超高真空且极低温的环境下形成磁性膜以得到具有高的磁阻比的磁阻元件的技术。
作为在极低温下处理基板的技术,在专利文献1中记载:在利用冷却处理装置将基板冷却至极低温后,利用另外设置的成膜装置对冷却后的基板以极低温形成磁性膜。
另外,作为在同一容器内进行基板的冷却和成膜处理的技术,具有专利文献2所记载的技术。专利文献2的成膜装置具有PVD腔室、设置于该PVD腔室中的冷却台、能够以使基板靠近冷却台的状态将基板支承为可旋转的旋转台构件、以及向冷却台与基板之间供给极低温冷却气体的机构。在这样的成膜装置中,能够在一边对基板进行冷却一边使基板旋转的状态下均匀地进行PVD成膜。
并且,在专利文献3中记载了如下一种技术:在真空室内设置利用冷冻机进行冷却的冷却头,在冷却头固定作为支承基板的支承体的冷却台,并且在冷却台上一边将基板冷却至极低温一边进行薄膜形成处理。
专利文献1:日本特开2015-226010号公报
专利文献2:美国专利第8776542号说明书
专利文献3:日本特开2006-73608号公报
发明内容
本公开提供一种能够在成膜装置内高效且均匀地将基板冷却至极低温且能够在成膜处理过程中使载置于载置台的基板旋转的基板载置机构以及成膜装置和成膜方法。
本公开的一个方式所涉及的基板载置机构为在成膜装置内载置进行成膜的基板的基板载置机构,所述基板载置机构具备:载置台,其具有用于载置基板的基板载置面;冷却头,其被设置为同所述载置台的与所述基板载置面相反的一侧相向,所述冷却头通过冷冻机来被冷却至极低温;接触分离机构,其使所述载置台与所述冷却头之间接触分离;旋转机构,其使载置台旋转;以及控制部,其中,除成膜时以外,所述控制部利用所述接触分离机构来使所述载置台与所述冷却头成为接触的状态,并在该状态下将所述基板载置于所述载置台,在成膜时,所述控制部在利用所述接触分离机构使所述载置台与所述冷却头分离的状态下利用所述旋转机构来使所述载置台旋转。
根据本公开,提供一种能够在成膜装置内高效且均匀地将基板冷却至极低温且能够在成膜处理过程中使载置于载置台的基板旋转的基板载置机构以及成膜装置和成膜方法。
附图说明
图1是表示具备第一实施方式所涉及的基板载置机构的成膜装置的一例的截面图。
图2是表示具备第一实施方式所涉及的基板载置机构的成膜装置中的成膜方法的一例的流程图。
图3是表示在第一实施方式所涉及的基板载置机构中使载置台与冷却头接触的状态的截面图。
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