[发明专利]基板载置机构、成膜装置以及成膜方法在审

专利信息
申请号: 201910863442.1 申请日: 2019-09-12
公开(公告)号: CN110904421A 公开(公告)日: 2020-03-24
发明(设计)人: 爱因斯坦·诺埃尔·阿巴拉 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: C23C14/50 分类号: C23C14/50;C23C14/34
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 基板载置 机构 装置 以及 方法
【权利要求书】:

1.一种基板载置机构,在成膜装置内载置进行成膜的基板,所述基板载置机构具备:

载置台,其具有用于载置基板的基板载置面;

冷却头,其被设置为同所述载置台的与所述基板载置面相反的一侧相向,所述冷却头通过冷冻机来被冷却至极低温;

接触分离机构,其使所述载置台与所述冷却头之间接触分离;

旋转机构,其使载置台旋转;以及

控制部,

其中,除成膜时以外,所述控制部利用所述接触分离机构来使所述载置台与所述冷却头成为接触的状态,并在该状态下将所述基板载置于所述载置台,在成膜时,所述控制部在利用所述接触分离机构使所述载置台与所述冷却头分离的状态下利用所述旋转机构来使所述载置台旋转。

2.根据权利要求1所述的基板载置机构,其特征在于,

所述载置台具有用于吸附所述基板的静电卡盘。

3.根据权利要求1或2所述的基板载置机构,其特征在于,

所述接触分离机构利用使所述载置台升降的致动器来使所述载置台与所述冷却头接触分离。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板载置机构,其特征在于,

所述载置台与所述基板相比具有足够大的热容量。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的基板载置机构,其特征在于,

所述载置台与所述冷却头直接接触,

所述基板载置机构具有气体供给机构,所述气体供给机构在所述载置台与所述冷却头接触的状态下向所述载置台与所述冷却头之间供给传热用的气体。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的基板载置机构,其特征在于,

还具有接触分离构造部,所述接触分离构造部设置于所述载置台与所述冷却头之间,具有所述载置台侧的第一构件和所述冷却头侧的第二构件,通过所述接触分离机构来使所述第一构件与所述第二构件之间接触分离。

7.根据权利要求6所述的基板载置机构,其特征在于,

所述第一构件与所述第二构件的接触面为锥面。

8.根据权利要求7所述的基板载置机构,其特征在于,

所述第二构件经由波纹管来与所述冷却头连接。

9.根据权利要求6所述的基板载置机构,其特征在于,

所述第一构件为设置于所述载置台的下表面且在所述第一构件的内侧具有抵接面的抵接构件,所述第二构件为沿水平方向移动来与所述抵接构件的抵接面接触分离的接触构件。

10.根据权利要求9所述的基板载置机构,其特征在于,

所述接触分离机构具有通过气体的压力来伸缩的伸缩部,通过所述伸缩部的伸缩来使所述第二构件水平地移动从而与所述第一构件接触分离。

11.根据权利要求6所述的基板载置机构,其特征在于,

所述第一构件为与所述载置台的下表面连接的第一陶瓷构件,所述第二构件为与所述冷却头的上表面连接的第二陶瓷构件,所述第一陶瓷构件的下表面与所述第二陶瓷构件的上表面接触分离。

12.根据权利要求11所述的基板载置机构,其特征在于,

所述第一陶瓷构件和所述第二陶瓷构件之间的配合面被进行镜面加工。

13.根据权利要求11或12所述的基板载置机构,其特征在于,

在所述第二陶瓷构件的上表面具有多个凹部,

所述基板载置机构还具有气体供给机构,所述气体供给机构在所述第一陶瓷构件与所述第二陶瓷构件接触时向所述凹部供给传热用的气体。

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