[发明专利]用于1:2反向电荷泵的软启电和驱动电路及其实现方法有效
申请号: | 201910855259.7 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN110445364B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 马俊 | 申请(专利权)人: | 上海南芯半导体科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36;H02M1/088;H02M3/07 |
代理公司: | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙) 51239 | 代理人: | 王育信 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 反向 电荷 软启电 驱动 电路 及其 实现 方法 | ||
本发明公开了一种用于1:2反向电荷泵的软启电和驱动电路及其实现方法,主要解决现有电荷泵驱动电路需要串联QB管来实现软启动,既增加了芯片成本,同时在正常工作时QB产生了额外的热损耗,降低了电压转换效率的问题。该电路包括包括均与电荷泵芯片的VOUT引脚相连的分压电阻RF1、MOS管开关S和钳压电路A3,均与电荷泵芯片的BT引脚相连的钳压电路A1、钳压电路A2,与电荷泵芯片上的NMOS管Q3、NMOS管Q4均相连的无源限流电路。本发明将PMOS管Q3b和NMOS管Q4的限流值与(VIN‑VOUT/2)乘积作为负反馈量,与一个参考P_REF做积分来控制Q3b和Q4的限流值,从而确保Q3b和Q4的限流值为满足芯片热损耗小于P_REF前提下的最大值,即具有最大带载能力。同时降低了芯片成本,提高了电压转换效率。
技术领域
本发明涉及一种集成电路,具体地说,是涉及一种用于1:2反向电荷泵的软启电和驱动电路及其实现方法。
背景技术
电荷泵是利用电容存储能量的开关变换器,其中,利用开关使得电容在供电和放电状态之间切换,从而可以提升或降低供电电压。在移动终端或便携式电子设备中,供电电源的电压可能低于工作电压,电荷泵可以将供电电源的电压提供之后系统工作,例如,电荷泵产生的电压在3.3V至4.0V范围内,从而满足电子设备的工作需要。
多数的电荷泵芯片都是应用在将输入电压降为一半的2:1模式,鲜有支持反向升为两倍电压的1:2模式。如图1所示为电荷泵的电路原理图,四个P管分为两个相位ɸ1和ɸ2分别导通,在没有负载的理想情况下,VX=2*VY。最常见的应用是将VX作为输入电源,从而得到近似一半的输出电压VY。类似的,如果将VY作为输入电源,那么就会得到近似两倍的输出电压VX。
通常集成P管的电荷泵芯片会采用N型MOS器件,这就需要相应的驱动电路。由于电荷泵没有电感这类限制电流变化的储能器件,所以需要有软启动的过程来限制启动电流。对于正向2:1模式的电荷泵,软起动的方案比较简单和成熟。但是对于反向1:2模式的电荷泵,由于输入电压低于输出电压,这变得非常有挑战。
如图2所示为现有技术的电荷泵的驱动电路,电路中没有一个最高电压点为Q1/Q2/Q3的驱动电路供电,所以Q1/2/3不能导通。
最通常的做法是通过另外的子电荷泵,产生一个最高电压(需要高于2*VIN+V_overdrive,这里选为3*VIN),然后用这个最高电压来驱动Q1/2/3。要产生一个比两倍VIN还高V_overdrive的电平,需要两个子电荷泵。由于驱动Q1/2/3的电流远小于Q1/2/3的工作电流,所以子电荷泵管子的面积远小于P管;但是驱动Q1/2/3高速开关,需要mA级别的电流,所以子电荷泵的电容通常要在nF级别,这样大的电容很难在片内集成,所以需要采用片外电容。
产生最高电压可以驱动Q1/2/3后,并不能直接启电。因为Q1/2/3/4的导通电阻很小(mohm级别),而初始的VOUT电平和稳态的VOUT电平的压差最大为VIN+2*Vdiode。如果直接让Q1/2/3/4硬启动,瞬间会产生上百安培甚至更高的电流,会烧坏芯片,所以需要一个限流的软起动过程。通常的做法是再串联一个P管QB,在软起动过程中,通过一个运放构成的反馈环路让QB工作在饱和区,限制启动过程的最大电流,从而实现安全的软启电。当VOUT电平接近两倍VIN电平时,将QB的驱动电平拉到最大,使其工作在线性区(最小的导通电阻),结束软启电开始正常工作。
传统方案的好处是直观,都是通用做法。还有一个好处是,由于两倍的VIN电流相当于一倍的VOUT电流,所以由VIN产生最高电平的方案比由VOUT产生最高电平的方案效率更高。
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