[发明专利]一种LDO电路布局方法

权利要求书

1.一种LDO电路布局方法，其特征在于，包括RC滤波电路，所述RC滤波电路设置在底部，并在所述RC滤波电路的四周设置隔离地线，所述隔离地线的上方是误差放大器，所述误差放大器的输入端与所述RC滤波电路上下相邻；

所述RC滤波电路包括第一电阻和第一电容，所述第一电容的一端连接接地端，另一端一路穿过所述隔离地线连接误差放大器的负输入端，另一路连接所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端穿过所述隔离地线连接电压调节电路中的第二PMOS管的漏极；

所述隔离地线的上方设置有带隙基准电压电路，所述误差放大器与所述带隙基准电压电路左右相邻；

所述带隙基准电压电路的上方设置有电压调节电路，所述误差放大器的上方设置有缓冲电路；

所述缓冲电路的上方设置有功率电路，所述功率电路覆盖所述电压调节电路和所述缓冲电路；

所述缓冲电路包括缓冲器和第一电流源，所述误差放大器的输出端连接缓冲器的输入端，所述缓冲器的输出端连接功率电路中的第一PMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极连接电源电压端，所述第一PMOS管的漏极连接输出电压端，所述输出电压端通过所述第一电流源连接接地端；

所述电压调节电路包括运算放大器，第二PMOS管，第二可变电阻，以及第三电阻，所述运算放大器的负输入端连接带隙基准电压电路的输出端，所述运算放大器的正输入端通过所述第三电阻连接接地端，所述运算放大器的输出端连接所述第二PMOS管的栅极，所述第二PMOS管的源极连接电源电压端，所述第二PMOS管的漏极通过第二可变电阻连接所述运算放大器的正输入端。

2.根据权利要求1所述的LDO电路布局方法，其特征在于，所述第一电容与所述误差放大器之间的连线周边具有隔离设置。