[发明专利]刻蚀结构的形貌分析方法及装置

说明书

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种刻蚀结构的形貌分析方法及装置。所述刻蚀结构的形貌分析方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底内具有刻蚀结构；填充满所述刻蚀结构，形成填充结构；去除所述衬底，暴露所述填充结构；分析所述填充结构，获取所述刻蚀结构的形貌。本发明简化了刻蚀结构的形貌分析步骤，提高了刻蚀结构形貌分析的准确度。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种刻蚀结构的形貌分析方法及装置。

背景技术

随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。

在3D NAND存储器等半导体器件结构中，通常需要通过刻蚀工艺形成深孔、沟槽等刻蚀结构。但是，当前在形成深孔或者沟槽等刻蚀结构之后，无法对刻蚀结构的形貌进行准确的分析，从而限制了对半导体器件工艺的改进。

因此，如何简化刻蚀结构的形貌分析步骤，改善半导体器件的制程工艺，以提高半导体器件的性能，是当前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供了一种刻蚀结构的形貌分析方法及装置，用于解决现有技术在对刻蚀结构的形貌进行分析的过程中操作繁琐的问题，以改善半导体制程工艺。

为了解决上述问题，本发明提供了一种刻蚀结构的形貌分析方法，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底内具有刻蚀结构；

填充满所述刻蚀结构，形成填充结构；

去除所述衬底，暴露所述填充结构；

分析所述填充结构，获取所述刻蚀结构的形貌特征。

可选的，填充满所述刻蚀结构的具体步骤包括：

选择一填充材料，所述填充材料与形成所述衬底的材料之间的刻蚀选择比大于预设值；

沉积填充材料至所述刻蚀结构，形成至少填充满所述刻蚀结构的填充结构。

可选的，所述衬底包括相对分布的上表面和下表面，所述刻蚀结构自所述上表面向所述衬底内部延伸；沉积填充材料至所述刻蚀结构的具体步骤包括：

沉积填充材料至所述刻蚀结构内，形成填充满所述刻蚀结构且覆盖所述上表面的填充结构。

可选的，暴露所述填充结构的具体步骤包括：

刻蚀所述衬底，完全暴露所述填充结构。

可选的，分析所述填充结构的具体步骤包括：

对所述填充结构进行三维扫描，建立三维模型；

分析所述三维模型，获取所述刻蚀结构的形貌。

可选的，建立三维模型的具体步骤包括：

采用一预设波长的光线对所述填充结构进行非接触式三维扫描，建立三维模型；

显示所述三维模型于一显示界面。

可选的，所述刻蚀结构的形貌特征包括所述刻蚀结构顶部的特征尺寸、所述刻蚀结构底部的特征尺寸、所述刻蚀结构的倾斜度、所述刻蚀结构的弯曲度、所述刻蚀结构中部的特征尺寸、所述刻蚀结构的高度中的一种或者多种。

为了解决上述问题，本发明还提供了一种刻蚀结构的形貌分析装置，包括：