[发明专利]离子源放电室导气结构以及离子源

说明书

本申请公开一种离子源放电室导气结构以及离子源，其中，一种离子源，包括：离子源壳体；设置于所述离子源壳体内部的放电室；所述放电室上设有离子拔出电极组件；设置于所述离子源壳体内部的射频天线；用于从所述离子源壳体外部向所述放电室内导入气体的导气结构；所述导气结构包括：用于输入气体的进气组件、气体分配组件、第一输气管路和第二输气管路；所述气体分配组件将进气组件输入的气体分配成进入所述第一输气管路的一部分以及进入所述第二输气管路的一部分；所述第一输气管路和所述第二输气管路通入所述放电室的不同区域。该离子源放电室导气结构以及离子源能够使得放电室中的气体导入均匀，进而有利于等离子体分布均匀。

技术领域

本申请涉及光学镀膜领域，尤其涉及一种离子源放电室导气结构以及离子源。

背景技术

在真空光学蒸发镀膜设备中，通常需要用到离子源。其主要作用有：在蒸镀开始之前利用离子源产生的等离子体对基板进行清洗，提高基板附着力。在蒸镀过程中，等离子体起离子辅助蒸镀的作用，可显著提高膜的致密性、改善膜的机械特性。因而离子源的稳定性对镀膜的质量有很大影响

现在主流的射频感应耦合等离子体(RFICP Radio Frequency InductiveCoupled Plasma)的放电式离子源采用盘香型线圈作为RF(Radio Frequency)源。在现有结构中，产生等离子体的气体从放电室底部中心导入放电室，在RF源作用下形成等离子体，再利用拔出电极将等离子体拔出。在使用过程中发现，现有结构的离子源的放电室内的等离子体分布不均匀，影响镀膜质量。

发明内容

针对上述问题，发明人进一步研究发现：在真空镀膜设备工作过程中，真空泵始终在工作以使得镀膜室内的真空度保持在一个稳定的水平，这就造成离子源内外部始终有压差存在。现有气体导入结构下气体只从一个位置点导入放电室，由于内外压差的存在，容易造成气体在放电室内还没有分布均匀就已逸散出放电室，使得放电室内部的等离子体不均匀，放电室靠近外壁处的等离子浓度显著低于中心部位，最终造成真空腔内的等离子体不均匀，对镀膜的质量产生影响。

有鉴于上述研究，本申请的一个目的是提供一种离子源放电室导气结构以及离子源，以能够使得放电室中的气体导入均匀，进而有利于等离子体分布均匀。

为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：

一种离子源，包括：

离子源壳体；

设置于所述离子源壳体内部的放电室；所述放电室上设有离子拔出电极组件；

设置于所述离子源壳体内部的射频天线；

用于从所述离子源壳体外部向所述放电室内导入气体的导气结构；所述导气结构包括：用于输入气体的进气组件、气体分配组件、第一输气管路和第二输气管路；所述气体分配组件将进气组件输入的气体分配成进入所述第一输气管路的一部分以及进入所述第二输气管路的一部分；所述第一输气管路和所述第二输气管路通入所述放电室的不同区域。

作为一种优选的实施方式，所述第一输气管路用于通入所述放电室的底部；所述第二输气管路用于通入所述放电室的侧部。

作为一种优选的实施方式，所述放电室包括筒状侧壁、位于筒状侧壁一端的底壁；所述离子拔出电极组件位于所述筒状侧壁的另一端；

所述第一输气管路连接所述底壁通入所述放电室的底部；所述第二输气管路连接所述筒状侧壁通入所述放电室的侧部。

作为一种优选的实施方式，所述放电室的外壁上设有环形凸起，以被支撑于所述离子源壳体内；

所述第二输气管路通入所述筒状侧壁的位置位于所述环形凸起远离所述离子拔出电极组件的一侧。

作为一种优选的实施方式，多个所述第二输气管路沿周向均匀分布于所述放电室的周围。