[发明专利]一种梯度铝硅电子封装材料的制备方法

权利要求书

1.一种梯度铝硅电子封装材料的制备方法，其特征在于：首先通过传统铸造方法获得不同硅含量的铝硅合金板材；然后通过快速凝固法对各铝硅合金板材进行细化，获得薄带状铝硅合金；再将相同硅含量的薄带状铝硅合金叠加、超声波焊接，获得所需厚度的块状铝硅合金；最后按需将不同硅含量的块状铝硅合金叠加后，热压成型，即获得梯度铝硅电子封装材料；具体包括如下步骤：

（1）板材制备

采用铸造方法，制备出硅质量百分含量在12%-60%范围的、不同硅含量的铝硅合金板材；对各铝硅合金板材的上表面进行包括砂纸打磨、酒精清洗、丙酮去污和干燥各过程的表面处理；将表面处理后各铝硅合金板材放在酒精中备用；

（2）快速凝固法细化

将各铝硅合金板材分别放置在甩带机的腔体内，设置甩带温度为高于相应铝硅合金板材熔点30~50℃、铜锟旋转速度为600rpm～1600rpm，甩出后即获得不同硅含量的薄带状铝硅合金；

（3）超声波焊接

将步骤（2）中相同硅含量的薄带状铝硅合金裁剪为所需长度，然后沿厚度方向整齐叠加，再通过超声波焊接的方式固定成型，获得所需厚度的块状铝硅合金；

将不同硅含量的薄带状铝硅合金依次处理，即获得若干不同硅含量的块状铝硅合金；

（4）热压成型

按需将不同硅含量的块状铝硅合金沿厚度方向逐层叠加，然后用石墨纸包裹后放入石墨模具中；再将模具放入真空钎焊炉中热压成型，热压温度为200℃～600℃、压力为200MPa～500MPa、保温时间为1h～4.5h，即获得梯度铝硅电子封装材料。