[发明专利]控制方法、装置、读取方法、存储介质和处理器

说明书

本申请提供了一种控制方法、装置、读取方法、存储介质和处理器。该控制方法包括：采集存储单元所在环境的温度；获取第一关系、第二关系和第三关系，至少根据采集的温度、第一关系、第二关系以及第三关系调整第一开关单元的电阻和/或参考电阻，得到最终高阻态电阻、最终低阻态电阻和最终参考电阻，最终参考电阻与最终低阻态电阻之间的差值为第一预定差值，使得最终参考电阻与最终高阻态电阻之间的差值为第二预定差值。在存储单元的电阻和/或参考电阻随着环境温度的变化而发生变化的情况下，最终参考电阻与最终高阻态电阻之间的差值和最终参考电阻与最终低阻态电阻之间的差值接近或者相等，从而保证了对存储单元的读取的结果错误率最低。

技术领域

本申请涉及存储器领域，具体而言，涉及一种控制方法、装置、读取方法、存储介质和处理器。

背景技术

磁性隧道结(MTJ)为基于磁性隧道磁阻(TMR)效应的器件，主要由两层磁性层和介于磁性层中间的介质层组成。第一磁性层磁化取向固定(也称为固定层)，第二磁性层磁化取向可通过磁场或电流改变(称为自由层)，进而使两层磁性层处于平行或反平行态，对应高电阻态和低电阻态，分别对应数据0或者1，可以用来存储信息。

自旋转移力矩MRAM(STT-MRAM)为利用电流改变MTJ状态的存储器，这是一种极具潜力的新型存储器。该存储器除了具有电路设计简单，读写速度快，无限次擦写等优点外，相对于传统存储器如DRAM的最大优势为非易失性(断电数据不丢失)。

MRAM的存储状态主要通过比较MTJ的电阻和参考电阻来确定，在MTJ的电阻大于参考电阻的情况下，确定存储状态为1，在MTJ的电阻小于参考电阻的情况下，确定存储状态为0。但是实际在读取MRAM的状态时，会经常出现读取不准确的问题。

在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种控制方法、装置、读取方法、存储介质和处理器，以解决现有技术中在读取MRAM的状态时，会经常出现读取不准确的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种控制方法，该方法用于控制存储单元的读取，所述存储单元包括存储位元和与所述存储位元电连接的第一开关单元，所述存储单元的读取电路包括参考电路，所述参考电路包括参考电阻，该控制方法包括：采集存储单元所在环境的温度；获取第一关系、第二关系和第三关系，其中，所述第一关系为所述存储单元的低阻态电阻与温度的关系，所述第二关系为所述存储单元的高阻态电阻与温度的关系，所述第三关系为参考电阻与温度的关系；至少根据采集的温度、所述第一关系、所述第二关系以及所述第三关系调整所述第一开关单元的电阻和/或所述参考电阻，得到最终高阻态电阻、最终低阻态电阻和最终参考电阻，所述最终参考电阻与所述最终低阻态电阻之间的差值为第一预定差值，使得所述最终参考电阻与所述最终高阻态电阻之间的差值为第二预定差值。

进一步地，至少根据采集的温度、所述第一关系、所述第二关系以及所述第三关系调整所述第一开关单元的电阻和/或参考电阻，包括：根据采集的温度和所述第一关系确定所述存储单元的当前温度下所述低阻态电阻；根据采集的温度和所述第二关系确定所述存储单元的当前温度下的所述高阻态电阻；根据采集的温度和所述第三关系确定当前温度下的所述参考电阻；根据当前温度下的所述高阻态电阻、当前温度下的所述低阻态电阻以及当前温度下的所述参考电阻调整所述第一开关单元的电阻和/或所述参考电阻。