[发明专利]控制方法、装置、读取方法、存储介质和处理器

权利要求书

1.一种控制方法，用于控制存储单元的读取，所述存储单元包括存储位元和与所述存储位元电连接的第一开关单元，所述存储单元的读取电路包括参考电路，所述参考电路包括参考电阻，其特征在于，包括：

采集存储单元所在环境的温度；

获取第一关系、第二关系和第三关系，其中，所述第一关系为所述存储单元的低阻态电阻与温度的关系，所述第二关系为所述存储单元的高阻态电阻与温度的关系，所述第三关系为参考电阻与温度的关系；

至少根据采集的温度、所述第一关系、所述第二关系以及所述第三关系调整所述第一开关单元的电阻和/或所述参考电阻，得到最终高阻态电阻、最终低阻态电阻和最终参考电阻，所述最终参考电阻与所述最终低阻态电阻之间的差值为第一预定差值，使得所述最终参考电阻与所述最终高阻态电阻之间的差值为第二预定差值；

至少根据采集的温度、所述第一关系、所述第二关系以及所述第三关系调整所述第一开关单元的电阻和/或参考电阻，包括：

根据采集的温度和所述第一关系确定所述存储单元的当前温度下所述低阻态电阻；

根据采集的温度和所述第二关系确定所述存储单元的当前温度下的所述高阻态电阻；

根据采集的温度和所述第三关系确定当前温度下的所述参考电阻；

根据当前温度下的所述高阻态电阻、当前温度下的所述低阻态电阻以及当前温度下的所述参考电阻调整所述第一开关单元的电阻和/或所述参考电阻；

在存储单元的电阻和/或参考电阻随着环境温度的变化而发生变化的情况下，最终参考电阻与所述最终高阻态电阻之间的差值和最终参考电阻与所述最终低阻态电阻之间的差值接近或者相等，即第一预定差值和第二预定差值在不同温度下绝对值不一样，但相对大小一致；

通过调整第一开关单元的电阻和/或参考电阻使得第一开关单元的电阻和参考电阻的差值不变。

2.根据权利要求1所述的控制方法，其特征在于，根据当前温度下的所述高阻态电阻、当前温度下的所述低阻态电阻以及当前温度下的所述参考电阻调整所述第一开关单元的电阻和/或所述参考电阻，包括：

获取第四关系和/或第五关系，其中，所述第四关系为所述第一开关单元的电阻与控制电压的关系，所述第五关系为参考电路中的第二开关单元与控制电压的关系，所述参考电阻为所述参考电路的电阻，所述参考电路还包括与所述第二开关单元电连接的电阻单元；

根据当前温度下的所述高阻态电阻、当前温度下的所述低阻态电阻、当前温度下的所述参考电阻以及所述第四关系调整所述第一开关单元的控制电压，和/或根据当前温度下的所述高阻态电阻、当前温度下的所述低阻态电阻、当前温度下的所述参考电阻以及所述第五关系调整所述第二开关单元的控制电压。

3.根据权利要求2所述的控制方法，其特征在于，所述第一开关单元为第一MOS管，所述第一MOS管的控制电压为第一栅压，根据当前温度下的所述高阻态电阻、当前温度下的所述低阻态电阻、当前温度下的所述参考电阻以及所述第四关系调整所述第一开关单元的控制电压，包括：

根据当前温度下的所述高阻态电阻、当前温度下的所述低阻态电阻、当前温度下的所述参考电阻以及所述第四关系调整所述第一栅压。

4.根据权利要求3所述的控制方法，其特征在于，所述第二开关单元为第二MOS管，所述第二MOS管的控制电压为第二栅压，根据当前温度下的所述高阻态电阻、当前温度下的所述低阻态电阻、当前温度下的所述参考电阻以及所述第五关系调整所述第二开关单元的控制电压，包括：

根据当前温度下的所述高阻态电阻、当前温度下的所述低阻态电阻、当前温度下的所述参考电阻以及所述第五关系调整所述第二栅压。

5.根据权利要求4所述的控制方法，其特征在于，采用栅压控制器调整所述第一栅压和/或所述第二栅压，所述栅压控制器为模拟反馈控制电路或者栅压控制芯片。