[发明专利]晶圆的加工设备和加工系统有效
申请号: | 201910803622.0 | 申请日: | 2019-08-28 |
公开(公告)号: | CN110571169B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 王孝进 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 李洋;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加工 设备 系统 | ||
本申请实施例公开了一种晶圆的加工设备和加工系统,该加工设备包括:晶圆放置位,用于放置晶圆;加热组件,设置在所述晶圆放置位的至少一个侧面,用于通过发热加热所述晶圆。
技术领域
本申请实施例涉及半导体技术,涉及但不限于一种晶圆的加工设备和加工系统。
背景技术
在半导体器件的生产过程中,需要对晶圆进行多道复杂的处理工序,为了达到量产需求,每道工艺制程中对每片晶圆的处理时长直接影响了最终的产能效益。在一些需要高温处理的工艺制程中,往往需要对晶圆进行长时间的加热,因此,在提升产能的需求下,如何减少高温制程的处理时长是半导体制造工艺中重要的改进方向之一。
发明内容
有鉴于此,本申请实施例提供一种晶圆的加工设备和加工系统。
第一方面,本申请提供一种加工设备,包括:
晶圆放置位,用于放置晶圆;
加热组件,设置在所述晶圆放置位的至少一个侧面,用于通过发热加热所述晶圆。
在一些实施例中,所述加工设备还包括:
具有多层结构的承载架,包括至少一个所述晶圆放置位;
所述加热组件,环状分布于所述圆形承载架的侧面。
在一些实施例中,所述加工设备还包括:
第一升降结构,用于调整所述加热组件的高度;
其中,当所述加热组件的底部高于所述承载架的顶部,或,当所述加热组件的顶部低于所述承载架的底部时,所述晶圆由水平方向移入或移出所述承载架。
在一些实施例中,所述加工设备还包括:
第二升降结构,设置于所述承载架下方,用于调整所述承载架的高度;
其中,当所述承载架的底部高于所述加热组件时,所述晶圆由水平方向移入或移出所述承载架。
在一些实施例中,所述加热组件为两组半圆环形电热丝拼接形成的圆环形;
其中,当所述两组半圆环形的电热丝位于相互分离的第一位置时,所述晶圆由水平方向移入或移出所述承载架。
在一些实施例中,所述加工设备还包括:
腔体,用于容纳所述晶圆放置位和所述加热组件;
运动臂,用于将所述晶圆移入或移出所述腔体,和/或,用于将所述容纳结构移入或移出所述腔体。
在一些实施例中,所述加工设备还包括:
排气组件,用于在所述腔体密封时,排出所述腔体内部的气体。
在一些实施例中,所述加工设备还包括:
进气组件,用于向所述腔体内部输送气体;
其中,所述气体用于使所述晶圆的表面进行气相外延生长反应,或,用于使所述晶圆的表面进行退火反应。
第二方面,本申请还提供一种晶圆的加工系统,包括:
第一反应仓,用于对晶圆进行气相外延生长反应;其中,所述第一反应仓包括上述任一种晶圆的加工设备,所述第一反应仓包括第一进气组件,用于向所述第一反应仓的腔体内部输送第一气体;所述第一气体用于使晶圆的表面进行气相外延生长反应;
第二反应仓,用于对晶圆进行退火反应;其中,第二反应仓包括上述任一种晶圆的加工设备,所述第二反应仓包括第二进气组件,用于向所述第二反应仓的腔体内部输送第二气体;所述第二气体用于使晶圆的表面进行退火反应。
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