[发明专利]一种显示面板和显示装置有效
| 申请号: | 201910795530.2 | 申请日: | 2019-08-27 |
| 公开(公告)号: | CN110504289B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
| 发明(设计)人: | 凡艳云 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225;G09G3/3233 |
| 代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 显示装置 | ||
本发明提供了一种显示面板和显示装置。显示面板包括:显示区,显示区包括光学模组设置区、过渡区和常规区,过渡区至少半包围光学模组设置区,常规区至少半包围过渡区;像素包括第一像素、过渡像素和常规像素,第一像素位于光学模组设置区,过渡像素位于过渡区,常规像素位于常规区,光学模组设置区的像素密度为第一密度,过渡区的像素密度为第二密度,常规区的像素密度为第三密度,第一密度小于第三密度,且第二密度小于第三密度;第一像素电路与第一像素电连接,且至少部分第一像素电路位于过渡区。本发明能够提升光学模组设置区的光透过率。
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板和显示装置。
【背景技术】
随着显示技术的发展,人们对使用的电子产品不仅要求流畅的使用体验,而且对视觉体验的要求也越来越高,高屏占比成为目前研究的方向。对于电子产品来说,前置摄像头等光学模组的设置必然会占据一定的空间,从而影响屏占比。而为了实现真正的全面屏,研究人员考虑屏下光学模组的实现方案。
将光学模组比如摄像头设置在显示面板的发光器件的下方,即将光学模组设置在显示区内,光学模组所在的位置能够正常显示,当需要使用光学模组时,光线穿透显示面板到达光学模组最终被光学模组利用。现有技术的显示面板结构中,光学模组能够接收到的光亮较少,影响光学模组的使用性能。如何提升光线穿透显示面板的透过率,提高光学模组接收的光量,提升屏下光学模组的性能,是目前亟待解决的技术问题。
【发明内容】
有鉴于此,本发明实施例提供了一种显示面板和显示装置,用以解决现有技术中提升光线穿透显示面板的透过率,提升屏下光学元件性能的问题。
一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,显示面板包括:显示区,显示区包括光学模组设置区、过渡区和常规区,过渡区至少半包围光学模组设置区,常规区至少半包围过渡区;
显示区包括多个像素,像素包括第一像素、过渡像素和常规像素,第一像素位于光学模组设置区,过渡像素位于过渡区,常规像素位于常规区,光学模组设置区的像素密度为第一密度,过渡区的像素密度为第二密度,常规区的像素密度为第三密度,其中,第一密度小于第三密度,且第二密度小于第三密度;
像素电路,像素电路包括第一像素电路、第二像素电路和第三像素电路,其中,第二像素电路位于过渡区且与过渡像素电连接,第三像素电路位于常规区且与常规像素电连接;第一像素电路与第一像素电连接,且至少部分第一像素电路位于过渡区。
另一方面,基于同一发明构思,本发明实施例提供了一种显示装置,包括本发明提供的任意一种显示面板。
本发明实施例提供的显示面板和显示装置,具有如下有益效果:
本发明在光学模组设置区和常规区之间设置有过渡区,过渡区的像素密度小于常规区的像素密度,则在过渡区内需要设置的第二像素电路的个数变少,本发明将至少部分第一像素电路设置在过渡区内,即通过降低过渡区的像素密度,实现将驱动光学模组设置区内的第一像素的部分像素电路设置在过渡区内。通过合理的像素密度和像素电路的布局,将至少部分像素电路移出光学模组设置区,增大了光学模组设置区内的透光区的面积,从而能够增加光学模组设置区内光线穿透显示面板的透过率,提升屏下光学模组的光学性能。
【附图说明】
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本发明实施例提供的显示面板一种可选实施方式示意图;
图2为本发明实施例提供的显示面板另一种可选实施方式示意图;
图3为图1中显示面板Q位置处一种可选实施方式局部放大示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





