[发明专利]发光装置的制造方法

权利要求书

1.一种发光装置的制造方法，其包括：

准备具有凹部的基体的工序；

在所述凹部的底面配置发光元件的配置工序；

以覆盖发光元件的方式配置第一树脂的第一树脂配置工序，所述第一树脂包含平均粒径为1μm以上且40μm以下的第一荧光体颗粒和平均粒径为5μm以上且20μm以下且比所述第一荧光体颗粒小的第一填料；

使所述第一荧光体颗粒和所述第一填料向所述基体侧离心沉降的第一离心沉降工序；

使所述第一树脂临时固化的临时固化工序；

在所述临时固化后的第一树脂上配置第二树脂的第二树脂配置工序，所述第二树脂包含第二荧光体颗粒和平均粒径为5nm以上且100nm以下的第二填料；

使所述第二荧光体颗粒和所述第二填料向所述第一树脂侧离心沉降的第二离心沉降工序；以及

使所述第一树脂和所述第二树脂固化的固化工序。

2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法，其中，

所述第一荧光体颗粒相对于100重量份的所述第一树脂的量为23重量份以上且64重量份以下，所述第一填料相对于100重量份的所述第一树脂的量为9重量份以上且23重量份以下。

3.根据权利要求2所述的发光装置的制造方法，其中，

所述第一荧光体颗粒的比重为3以上且8以下，所述第一填料的比重为1以上且3.5以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置的制造方法，其中，

所述第二荧光体颗粒相对于100重量份的所述第二树脂的量为17重量份以上且47重量份以下，所述第二填料相对于100重量份的所述第二树脂的含量为0.1重量份以上且2重量份以下。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置的制造方法，其中，

所述第一荧光体颗粒含有在650nm以上且670nm以下的范围内具有发光峰波长且包含由Mn活化的氟锗酸盐的荧光体颗粒。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置的制造方法，其中，

所述第二荧光体颗粒含有在430nm以上且500nm以下的范围内具有发光峰波长、组成中具有Cl且包含由Eu活化的碱土类磷酸盐的荧光体颗粒。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置的制造方法，其中，

配置所述发光元件的配置工序包括在所述凹部内通过电线电连接所述基体与所述发光元件的电线连接工序，

所述第一树脂配置工序以在高度方向上所述第一树脂的上表面位于所述电线的高度之上的方式进行配置。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置的制造方法，其中，

在所述配置工序与所述第一树脂配置工序之间包含：

将含有第三荧光体颗粒的第三树脂配置在所述发光元件的发光面的第三树脂配置工序；以及

使所述第三树脂固化或临时固化的第三树脂固化工序。

9.根据权利要求8所述的发光装置的制造方法，其中，

在所述第三树脂配置工序中，以不覆盖所述发光元件的侧面的方式设置所述第三树脂。

10.根据权利要求8所述的发光装置的制造方法，其中，

在所述第三树脂配置工序与第三树脂固化工序之间包括使所述第三树脂中的所述第三荧光体颗粒沉降的第三荧光体沉降工序。

11.根据权利要求1至3、9、10中任一项所述的发光装置的制造方法，其中，所述第一荧光体颗粒的平均粒径为10μm以上且30μm以下。

12.根据权利要求1至3、9、10中任一项所述的发光装置的制造方法，其中，所述第一填料的平均粒径为8μm以上且15μm以下。