[发明专利]一种矩阵向量乘法电路及计算方法有效
申请号: | 201910792384.8 | 申请日: | 2019-08-26 |
公开(公告)号: | CN110597487B | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 李祎;匡睿;秦一凡;缪向水 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G06F7/523 | 分类号: | G06F7/523;G06F7/78 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智;廖盈春 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 矩阵 向量 乘法 电路 计算方法 | ||
1.一种矩阵向量乘法电路,其特征在于,包括非易失存储器阵列、输入控制端、输出控制端、读取控制端;所述非易失存储器阵列可以为NOR FLASH阵列或者1T1R存储器阵列;所述1T1R存储器阵列中的1T1R存储器为晶体管串联阻变存储器结构;
所述非易失存储器阵列中的每个存储器单元均包括输入端、读取端、输出端,每一行的所有存储器单元的输入端分别与所述输入控制端相连,每一行的所有存储器单元的读取端分别与所述读取控制端相连,每一列的所有存储器单元的输出端分别与所述输出控制端相连;
所述非易失存储器阵列用于存储右矩阵数据,并完成矩阵向量乘法过程;
所述输入控制端用于接收外部输入的左矩阵向量参数,并根据待输入的左矩阵参数值在非易失存储器阵列的每一行输入相应的电压脉冲信号,将左矩阵向量参数输入到非易失存储器阵列中;所述输入控制端在非易失存储器阵列的每一行输入的电压脉冲信号的脉冲个数与该行待输入的左矩阵参数值相等,每个电压脉冲对应一次存储器单元的读取;
所述输出控制端用于读取非易失存储器阵列中存储器单元的状态并输出;
所述读取控制端用于分别在非易失存储器阵列的每一行上施加读取信号,控制非易失存储器阵列中存储器单元状态的读出;所述读取控制端在非易失存储器阵列的每一行施加的读取电压脉冲信号的脉冲个数与该行输入控制端输入的电压脉冲信号的脉冲个数相等。
2.根据权利要求1所述的矩阵向量乘法电路,其特征在于,所述非易失存储器阵列的大小与右矩阵的大小相等。
3.一种基于权利要求1或2所述矩阵向量乘法电路的矩阵向量乘法计算方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将右矩阵数据对应存储到非易失存储器阵列中;
S2、根据待输入的左矩阵参数值,输入控制端在非易失存储器阵列的每一行输入相应的电压脉冲信号,将左矩阵第一行中的每一个参数顺序输入到非易失存储器阵列的每一行中;
S3、读取控制端依次在非易失存储器阵列的每一行施加相应的读取电压脉冲信号,在输出控制端读取出阵列中对应存储器单元的参数值并记录,然后将当前阵列中所有存储器单元的读取结构按列进行累加,得到左矩阵第一行向量的矩阵向量乘法的计算结果;
S4、按照步骤S2-S3所述的方法对左矩阵的每一行进行操作,从而得到矩阵向量乘法计算结果。
4.根据权利要求3所述的矩阵向量乘法计算方法,其特征在于,若非易失存储器阵列某一行待输入的左矩阵参数值为0,则输入控制端不在该行输入电压脉冲信号。
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