[发明专利]磁头及磁记录再现装置

权利要求书

1.一种磁头，具备：

磁极；

第1屏蔽件；

磁性层，设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间；

第1导电层，设置于所述第1屏蔽件与所述磁性层之间，与所述第1屏蔽件及所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种元素；及

第2导电层，设置于所述磁极与所述磁性层之间，所述第2导电层包括第1区域及第2区域，所述第1区域与所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素，所述第2区域设置于所述第1区域与所述磁极之间，包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种的第2元素。

2.根据权利要求1所述的磁头，

从所述第1屏蔽件向所述磁极流动电流。

3.根据权利要求1所述的磁头，

还具备与所述磁极电连接的第1配线和与所述第1屏蔽件电连接的第2配线。

4.根据权利要求1所述的磁头，

所述第1区域的所述第2区域侧的部分包含所述第2元素。

5.根据权利要求1所述的磁头，

所述第2区域的所述第1区域侧的部分包含所述第1元素。

6.根据权利要求1所述的磁头，

所述磁性层包含Fe及Co，

所述磁性层中的Fe的组分为50atm%以上且95atm%以下。

7.一种磁头，具备：

磁极；

第1屏蔽件；

磁性层，设置于所述磁极与所述第1屏蔽件之间；

第1导电层，设置于所述磁极与所述磁性层之间，与所述磁极及所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag及Au构成的组的至少1种元素；及

第2导电层，设置于所述第1屏蔽件与所述磁性层之间，所述第2导电层包括第1区域及第2区域，所述第1区域与所述磁性层接触，包含选自由Cu、Ag、Au、Al、Ti、Ru、Mg及V构成的组的至少1种的第1元素，所述第2区域设置于所述第1区域与所述第1屏蔽件之间，包含选自由Ta、Pt、W、Mo、Ir、Cr、Tb、Rh及Pd构成的组的至少1种的第2元素。

8.根据权利要求7所述的磁头，

从所述磁极向所述第1屏蔽件流动电流。

9.一种磁记录再现装置，具备：

权利要求1所述的磁头；

磁记录介质，通过所述磁头被记录信息；及

第1电路，能够向所述磁极与所述第1屏蔽件之间供给电流。

10.根据权利要求9所述的磁记录再现装置，

还具备第2电路，

所述磁头还包括线圈，

所述线圈的至少一部分位于所述磁极与所述第1屏蔽件之间，

所述第2电路能够将与所述信息对应的电流向所述线圈供给。