[发明专利]金属氧化物结晶结构及具有此金属氧化物结晶结构的显示面板的电路结构及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种金属氧化物结晶结构，包含铟、锡、镓及氧原子，其特征在于：

铟：锡：镓：氧的原子比例为2：1：1：6，且该金属氧化物结晶结构具有一结晶单元为菱形六面体。

2.如权利要求1所述的金属氧化物结晶结构，其特征在于，该金属氧化物结晶结构包含多个该结晶单元斜方形往上堆叠。

3.如权利要求1所述的金属氧化物结晶结构，其特征在于，该金属氧化物结晶结构包含多个该结晶单元斜方形排列。

4.如权利要求1至3任一项所述的金属氧化物结晶结构，其特征在于，该菱形六面体的三棱边a、b、c的长度分别为且该三棱边的三个夹角α、β、γ分别为89.9964±10％度、89.9986±10％度、72.6328±10％度。

5.一种薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管包含：

一栅极层；

一栅极绝缘层，位于该栅极层上；

一金属氧化物半导体层，位于该栅极绝缘层上，该金属氧化物半导体层具有一金属氧化物结晶结构，其中该金属氧化物结晶结构包含铟、锡、镓及氧原子，且铟：锡：镓：氧的原子比例为2：1：1：6，该金属氧化物结晶结构具有一结晶单元为菱形六面体；以及

一源极/漏极层，位于该金属氧化物半导体层上。

6.一种薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管包含：

一金属氧化物半导体层，该金属氧化物半导体层具有一金属氧化物结晶结构，其中该金属氧化物结晶结构包含铟、锡、镓及氧原子，且铟：锡：镓：氧的原子比例为2：1：1：6，该金属氧化物结晶结构具有一结晶单元为菱形六面体；

一源极/漏极掺杂层，位于该金属氧化物半导体层上；

一栅极绝缘层，位于该源极/漏极掺杂层上并部分连接该金属氧化物半导体层；

一栅极层，位于该栅极绝缘层上并对应该金属氧化物半导体层；以及

一源极/漏极层，位于该栅极绝缘层并电连接该源极/漏极掺杂层。

7.一种薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管包含：

一第一栅极层；

一第一栅极绝缘层，位于该第一栅极层上；

一金属氧化物半导体层，位于该第一栅极绝缘层上，该金属氧化物半导体层具有一金属氧化物结晶结构，其中该金属氧化物结晶结构包含铟、锡、镓及氧原子，且铟：锡：镓：氧的原子比例为2：1：1：6，该金属氧化物结晶结构具有一结晶单元为菱形六面体；

一源极/漏极掺杂层，位于该金属氧化物半导体层上；

一第二栅极绝缘层，位于该源极/漏极掺杂层上并对应该第一栅极层部分连接该金属氧化物半导体层；

一第二栅极层，位于该第二栅极绝缘层上并对应第一栅极层；以及

一源极/漏极层，通过该第二栅极绝缘层并电连接该源极/漏极掺杂层。

8.如权利要求5至7任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，该金属氧化物结晶结构包含多个该结晶单元斜方形往上堆叠。

9.如权利要求5至7任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，该金属氧化物结晶结构包含多个该结晶单元斜方形排列。

10.如权利要求5至7任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，该菱形六面体的三棱边a、b、c的长度分别为且该三棱边的三个夹角α、β、γ分别为89.9964±10％度、89.9986±10％度、72.6328±10％度。

11.如权利要求5至7任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，更包含一结晶铟镓锌氧化物半导体层，其中该结晶铟镓锌氧化物半导体层位于该栅极绝缘层及该源极/漏极层之间。

12.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其特征在于，该结晶铟镓锌氧化物半导体层位于该金属氧化物半导体层及该栅极绝缘层之间。