[发明专利]半导体工艺、半导体器件的制作方法以及半导体器件在审

专利信息
申请号: 201910775850.1 申请日: 2019-08-21
公开(公告)号: CN110676152A 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 程纪伟;夏志良;周文犀;蒲月强;孙中旺;苏睿 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L27/11551;H01L27/11578
代理公司: 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 董文倩
地址: 430074 湖北省武汉市洪山区东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 半导体工艺 半导体基底 半导体器件 预定材料 填充 流体材料 无缝填充 制作过程 旋转轴 固化 平行 保证 申请 制作 应用
【权利要求书】:

1.一种半导体工艺,其特征在于,包括:

形成具有凹槽的半导体基底;

在所述凹槽中设置预定材料,直到所述预定材料的厚度大于或者等于预定厚度,其中,所述预定材料为流体材料;

控制所述半导体基底旋转,所述半导体基底旋转的旋转轴平行于所述半导体基底的厚度方向;

固化所述预定材料,形成填充结构。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺,其特征在于,所述预定厚度大于或者等于所述凹槽的深度。

3.根据权利要求1所述的半导体工艺,其特征在于,在所述凹槽中设置预定材料包括:

在所述凹槽中滴入所述预定材料。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺,其特征在于,所述旋转轴为经过所述半导体基底的轴。

5.根据权利要求1所述的半导体工艺,其特征在于,所述预定材料的粘稠度在0.2~10000cP之间,所述半导体基底的旋转速度在100~8000PRM之间。

6.根据权利要求1所述的半导体工艺,其特征在于,采用紫外固化方式和/或热固化方式固化所述预定材料。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体工艺,其特征在于,所述凹槽的深宽比大于或者等于6。

8.一种半导体器件的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括权利要求1至7中任一项所述的半导体工艺。

9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述半导体器件为3D NAND存储器。

10.一种半导体器件,包括半导体结构,其特征在于,所述半导体结构采用权利要求1至6中的任一项所述的半导体工艺制作而成。

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