[发明专利]半导体工艺、半导体器件的制作方法以及半导体器件在审
申请号: | 201910775850.1 | 申请日: | 2019-08-21 |
公开(公告)号: | CN110676152A | 公开(公告)日: | 2020-01-10 |
发明(设计)人: | 程纪伟;夏志良;周文犀;蒲月强;孙中旺;苏睿 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L27/11551;H01L27/11578 |
代理公司: | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 董文倩 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体工艺 半导体基底 半导体器件 预定材料 填充 流体材料 无缝填充 制作过程 旋转轴 固化 平行 保证 申请 制作 应用 | ||
1.一种半导体工艺,其特征在于,包括:
形成具有凹槽的半导体基底;
在所述凹槽中设置预定材料,直到所述预定材料的厚度大于或者等于预定厚度,其中,所述预定材料为流体材料;
控制所述半导体基底旋转,所述半导体基底旋转的旋转轴平行于所述半导体基底的厚度方向;
固化所述预定材料,形成填充结构。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺,其特征在于,所述预定厚度大于或者等于所述凹槽的深度。
3.根据权利要求1所述的半导体工艺,其特征在于,在所述凹槽中设置预定材料包括:
在所述凹槽中滴入所述预定材料。
4.根据权利要求1所述的半导体工艺,其特征在于,所述旋转轴为经过所述半导体基底的轴。
5.根据权利要求1所述的半导体工艺,其特征在于,所述预定材料的粘稠度在0.2~10000cP之间,所述半导体基底的旋转速度在100~8000PRM之间。
6.根据权利要求1所述的半导体工艺,其特征在于,采用紫外固化方式和/或热固化方式固化所述预定材料。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体工艺,其特征在于,所述凹槽的深宽比大于或者等于6。
8.一种半导体器件的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括权利要求1至7中任一项所述的半导体工艺。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述半导体器件为3D NAND存储器。
10.一种半导体器件,包括半导体结构,其特征在于,所述半导体结构采用权利要求1至6中的任一项所述的半导体工艺制作而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造