[发明专利]掩模板及曝光方法

说明书

本发明提供一种掩模板及曝光方法。所述掩模板包括液晶盒结构、位于其第一表面一侧的第一电极层和第一偏光膜以及位于其第二表面一侧的第二电极层和第二偏光膜，第一电极层包括覆盖液晶层表面不同位置的多个第一透明电极，第二电极层包括与各个第一透明电极位置对应且极性相反的第二透明电极，当通过在第一透明电极和第二透明电极形成电场时，电场中的液晶分子发生偏转会使得从第二偏光膜输出的光通量发生变化，进而在液晶层的范围内形成包括遮光区和透光区的掩模图案，该掩模板上形成的掩模图案是可写可擦除的，从而可以实现多种掩模图案的写入，有利于减少掩模板的数量，便于管理，减少成本。所述曝光方法利用了上述掩模板。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种掩模板及利用所述掩模板的曝光方法。

背景技术

在基底诸如硅晶圆上制作半导体元件时，通常都需要经过多次材料淀积及图形化工艺，而掩模板(或光罩)是图形化工艺中必不可少的部件。在半导体产品正式制作之前，需要根据产品对应地设计一套版图，对应于每张版图通常会制作一张复刻有版图图像的掩模板。

一种常用的掩模板包括石英玻璃以及按照版图图像分布在石英玻璃上的铬金属薄膜。这种掩模板的制作通常包括如下过程：首先，绘制要求格式的掩模板版图文件；然后，使用无掩模光刻机读取掩模板版图文件，并对涂布有感光胶(通常为正胶)的空白掩模板进行非接触曝光，感光胶被光照的部分发生化学反应；接着，经过显影后，部分感光胶脱落，暴露出下方的铬层；然后，湿法去除暴露出的铬层，露出下方透光的石英玻璃，所得到的掩模板包括按照特定版图设计的透光区域和遮光区域，在安装到光刻机后，即可以用于硅晶圆上的图形化工艺。

目前的掩模板存在以下问题：1、一个掩模板上的图案仅能应用于同一图形化工艺，因而在集成电路设计时，对一个产品就需要设计一套掩模板，往往一个集成电路产品设计时需要十几张甚至几十张掩模板，众多掩模板的使用及存放繁琐且管理难度高；2、整套掩模板制作起来很耗时间，掩模板的制作进度会影响产品开发进度和生产效率；3、掩模板价格昂贵，但是在新产品验证过程中以及产品改版、迭代更新等过程中，测试掩模板和旧掩模板在过程结束后无法使用，只能报废处理。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供一种掩模板及一种利用所述掩模板的曝光方法。

一方面，本发明提供一种掩模板，所述掩模板包括：

液晶盒结构，所述液晶盒结构具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面之间设有隔离材料围成的封闭的间隙腔，在所述间隙腔内填充有液晶层；

第一电极层和第一偏光膜，对应于所述液晶层依次设置于所述第一表面远离所述第二表面的一侧，所述第一电极层包括覆盖所述液晶层表面不同位置的多个第一透明电极；以及

第二电极层和第二偏光膜，对应于所述液晶层依次设置于所述第二表面远离所述第一表面的一侧，所述第二电极层包括与各个所述第一透明电极位置对应且极性相反的至少一个第二透明电极，所述第一偏光膜和所述第二偏光膜的滤光方向正交。

可选的，所述第一表面和所述第二表面相互平行，所述间隙腔在垂直于所述第一表面的方向上具有均一的高度，所述液晶层填满所述间隙腔。

可选的，所述第二电极层仅包括一个所述第二透明电极，每个所述第一透明电极在所述第二电极层的正投影落在所述第二透明电极的区域内。

可选的，所述第二电极层包括与所述多个第一透明电极一一对应的多个所述第二透明电极，每个所述第一透明电极在所述第二电极层的正投影落在对应的所述第二透明电极的范围内。

可选的，彼此对应的一个所述第一透明电极和一个所述第二透明电极的面积相同。

可选的，所述第一透明电极和所述第二透明电极平行于所述第一表面的截面形状包括圆形、半圆形、椭圆形、半椭圆形、多边形的至少一种。