[发明专利]用于确定交互作用深度的系统和方法在审
| 申请号: | 201910744571.9 | 申请日: | 2019-08-13 |
| 公开(公告)号: | CN110824530A | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
| 发明(设计)人: | 阿里·沙哈尔;亚龙·格雷泽;莫什·科恩-埃尔纳;阿维沙伊·奥凡 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
| 主分类号: | G01T1/161 | 分类号: | G01T1/161;G01T1/164;G01T1/29;G01T1/24;G01T7/00;A61B6/00 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 钱慰民;张鑫 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 确定 交互作用 深度 系统 方法 | ||
1.一种辐射检测器组件,包括:
具有表面的半导体检测器;
设置在所述表面上的多个像素化阳极,每个像素化阳极被配置成响应于所述像素化阳极接收到光子而生成主信号,并且响应于由至少一个周围阳极接收到光子引起的感应电荷而生成至少一个辅信号;和
能够操作地耦接到所述像素化阳极的至少一个处理器,所述至少一个处理器被配置成:
响应于所述阳极中的一个接收到光子,从所述阳极中的所述一个获取主信号;
响应于由所述阳极中的所述一个接收到所述光子引起的感应电荷,从所述阳极中的所述一个的至少一个相邻像素获取至少一个辅信号;以及
使用所述至少一个辅信号,确定用于所述阳极中的所述一个对所述光子的所述接收的所述半导体检测器中的交互作用深度。
2.根据权利要求1所述的检测器组件,其中所述至少一个处理器被配置成基于所述交互作用深度来调整用于对应于所述阳极中的所述一个接收到所述光子的事件的能量水平。
3.根据权利要求1所述的检测器组件,其中所述至少一个处理器被配置成使用所述交互作用深度重建图像。
4.根据权利要求1所述的检测器组件,其中所述至少一个相邻像素包括至少一个相邻阳极。
5.根据权利要求1所述的检测器组件,其中所述至少一个处理器被配置成使用校准信息来确定所述交互作用深度。
6.根据权利要求5所述的检测器组件,其中所述至少一个处理器被配置成使用基于单个辅信号的负值与所述主信号的振幅之间的比率的校准来确定所述交互作用深度。
7.根据权利要求5所述的检测器组件,其中所述至少一个处理器被配置成使用基于多个辅信号的负值之和与所述主信号的振幅之间的比率的校准来确定所述交互作用深度。
8.根据权利要求1所述的检测器组件,其中所述至少一个处理器被配置成在不使用来自所述检测器组件的阴极的任何信息的情况下确定所述交互作用深度。
9.根据权利要求1所述的检测器组件,其中所述至少一个处理器被配置成使用所述主信号和所述至少一个辅信号来确定子像素位置。
10.一种使用半导体检测器进行成像的方法,所述半导体检测器具有表面,所述表面具有设置在其上的多个像素化阳极,其中每个像素化阳极被配置成响应于所述像素化阳极接收到光子而生成主信号,并且响应于由至少一个周围阳极接收到光子引起的感应电荷而生成至少一个辅信号,所述方法包括:
响应于所述阳极中的一个接收到光子,从所述阳极中的所述一个获取主信号;
响应于由所述阳极中的所述一个接收到所述光子引起的感应电荷,从所述阳极中的所述一个的至少一个相邻像素获取至少一个辅信号;以及
使用所述至少一个辅信号,确定用于所述阳极中的所述一个对所述光子的所述接收的所述半导体检测器中的交互作用深度。
11.根据权利要求10所述的方法,还包括基于所述交互作用深度来调整用于对应于所述阳极中的所述一个接收到所述光子的事件的能量水平。
12.根据权利要求10所述的方法,还包括使用所述交互作用深度重建图像。
13.根据权利要求10所述的方法,其中所述至少一个相邻像素包括至少一个相邻阳极。
14.根据权利要求10所述的方法,还包括使用校准信息来确定所述交互作用深度。
15.根据权利要求14所述的方法,还包括使用基于单个辅信号的负值与所述主信号的振幅之间的比率的校准来确定所述交互作用深度。
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