[发明专利]背侧照明图像传感器

说明书

提供了一种背侧照明(BSI)图像传感器。在一些示例实施例中，所述背侧照明(BSI)图像传感器可以包括被构造为响应于入射在基底的背侧上的光而产生电信号的像素。在一些示例实施例中，像素包括光电二极管、与光电二极管相邻的器件隔离膜、位于光电二极管上方的暗电流抑制层、位于光电二极管上方并且包括像素的区域的1％‑15％的开口区域的遮光栅格、位于遮光栅格上方的遮光过滤层、位于遮光过滤层上方的平坦化层、位于平坦化层上方的透镜和/或位于光电二极管与透镜之间的抗反射膜。

本申请要求于2018年12月21日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2018-0167379号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

一些发明构思的一些示例实施例涉及背侧照明(BSI)图像传感器和/或包括其的电子装置。

背景技术

图像传感器是将光转换成电信号的装置。随着最近计算机工业和通信工业的发展，具有改善的性能的图像传感器可用于诸如摄像机、游戏机、数码相机、显示装置、移动电话(例如，智能电话)等的各种装置中。前侧照明(FSI)图像传感器可能展现诸如由于光电二极管上方的布线的设置而导致的光接收效率的降低的缺点。与FSI图像传感器相比，其中光电二极管的布线位于光电二极管下方的背侧照明(BSI)图像传感器可以提供改善的光接收效率。

发明内容

根据一些发明构思的一些示例实施例的背侧照明图像传感器包括被构造为响应于入射光产生电信号的像素。像素包括光电二极管、与光电二极管相邻的器件隔离膜、位于光电二极管上方的暗电流抑制层、位于光电二极管上方并且包括像素的区域的1％至15％的开口区域的遮光栅格、位于遮光栅格上方的遮光过滤层、位于遮光过滤层上方的平坦化层、位于平坦化层上方的透镜以及位于光电二极管与透镜之间的抗反射膜。

根据一些发明构思的一些示例实施例的背侧照明图像传感器包括多个像素和多个读出电路，所述多个像素被构造为响应于入射在基底的背侧上的光而产生电信号，所述多个读出电路被构造为读取所述多个像素的电信号。所述多个像素中的每个像素包括光电二极管、位于光电二极管上方的暗电流抑制层、位于光电二极管上方并且包括与光电二极管的中心部分对准的开口的遮光栅格、位于遮光栅格上方的平坦化层、位于平坦化层上方的透镜以及位于光电二极管与透镜之间的抗反射膜。

根据一些发明构思的一些示例实施例的背侧照明图像传感器包括多个像素和多个读出电路，所述多个像素被构造为响应于入射在基底的背侧上的光而产生电信号，所述多个读出电路被构造为读取所述多个像素的电信号。所述多个像素中的每个像素包括光电二极管、位于光电二极管上方并包括像素的区域的1％至15％的开口的遮光栅格、位于遮光栅格上的平坦化层、位于平坦化层上方的透镜以及位于光电二极管与透镜之间的抗反射膜。

附图说明

图1是示出根据一些发明构思的一些示例实施例的包括BSI图像传感器的电子装置的视图。

图2是根据一些示例实施例的图像传感器的单元像素的电路图。

图3A是示出根据一些发明构思的一些示例实施例的图像传感器的视图，其中抗反射膜和暗电流抑制层设置在遮光栅格和光电二极管之间。

图3B是示出根据一些示例实施例的在图3A中示出的像素的器件隔离膜的视图。

图3C是示出根据一些示例实施例的在图3B中示出的像素的遮光过滤层的视图。

图3D是示出根据一些示例实施例的器件隔离膜和暗电流抑制层的视图。

图4A和图4B是示出根据一些示例实施例的层叠以形成抗反射膜的多个膜的视图。

图5A和图5B是示出根据一些示例实施例的图像传感器的遮光栅格的视图。