[发明专利]紫外LED的外延结构在审
| 申请号： | 201910731901.0 | 申请日： | 2019-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN110473940A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 付羿;刘卫 | 申请（专利权）人： | 晶能光电(江西)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 量子阱层 势垒层 周期性结构 发光层 最下层 源区 多量子阱结构 应力控制层 衬底表面 晶格缺陷 量子限制 外延结构 有效缓解 紫外LED 扩展层 生长 缓解 | ||
【权利要求书】：
1.一种紫外LED的外延结构，其特征在于，包括：在生长衬底表面依次生长的应力控制层、n型电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层；其中，有源区发光层为由InaGa1-aN量子阱层和AlbGa1-bN势垒层形成的周期性结构，周期为4～7；
在该周期性结构中，由下到上InaGa1-aN量子阱层的厚度逐层增加15％，0.01<a<0.05，最下层的InaGa1-aN量子阱层的厚度为2～4nm；由下到上AlbGa1-bN势垒层中的Al组分b逐层增加15％，最下层的AlbGa1-bN势垒层中0.06<b<0.08。
2.如权利要求1所述的紫外LED的外延结构，其特征在于，AlbGa1-bN势垒层的厚度为10～15nm。
3.如权利要求1或2所述的紫外LED的外延结构，其特征在于，AlbGa1-bN势垒层中掺杂有浓度在5×1016～5×1018cm-2之间的硅。
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