[发明专利]一种具有HVBN结构的RESURF LDMOS器件有效
| 申请号： | 201910730097.4 | 申请日： | 2019-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN112349778B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 秦玉香;张冰莹;陈亮 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 hvbn 结构 resurf ldmos 器件 | ||
1.一种具有HVBN结构的RESURF LDMOS器件，包括P型半导体衬底，在P型半导体衬底上设置深N阱和深P阱，在深P阱中设置P阱，源端N+区和源端P+区设置在P阱中且位于器件的表面；深N阱的上端面设置场氧化层，场氧化层的一端与漏端N+区相连，场氧化层的另一端设置栅氧化层和多晶硅栅；多晶硅栅设置在栅氧化层之上，两者共同延伸至器件表面的源端N+区；在深N阱中设置HVBN区、N阱、N TOP区和P TOP区，漏端N+区设置在N阱中且位于器件的表面；N TOP区设置在P TOP区之上，N TOP区由N型条和N型场限环组成，N型场限环设置在HVBN区内，N型条部分在HVBN区内，部分在深N阱中；P TOP区由P型条和P型场限环组成，P型场限环设置在HVBN区内，P型条部分在HVBN区内，部分在深N阱中。
2.根据权利要求1所述的一种具有HVBN结构的RESURF LDMOS器件，在P阱的下面设置PB埋层，位于深P阱内。
3.根据权利要求1或者2所述的一种具有HVBN结构的RESURF LDMOS器件，其特征在于，器件表面采用二氧化硅层隔离。
4.根据权利要求1或者2所述的一种具有HVBN结构的RESURF LDMOS器件，其特征在于，N型场限环的数量为1-5；P型场限环的数量为1-5。
5.根据权利要求1或者2所述的一种具有HVBN结构的RESURF LDMOS器件，其特征在于，1/4-3/4的N型条在HVBN区内，1/4-3/4的N型条在深N阱中；1/4-3/4的P型条在HVBN区内，1/4-3/4的P型条在深N阱中。
6.根据权利要求1或者2所述的一种具有HVBN结构的RESURF LDMOS器件，其特征在于，N型条设置在P型条或者P型场限环之上，N型场限环设置在P型条或者P型场限环之上。
7.根据权利要求2所述的一种具有HVBN结构的RESURF LDMOS器件，其特征在于，在PB埋层注入硼离子，注入宽度为5-10μm，PB掺杂剂量为18×1012-18.5×1012cm-2。
8.根据权利要求1或者2所述的一种具有HVBN结构的RESURF LDMOS器件，其特征在于，HVBN区注入磷离子，注入能量为0.5-1.5Mev，掺杂剂量为7.5×1011cm-2–1.5×1012cm-2。
9.根据权利要求1或者2所述的一种具有HVBN结构的RESURF LDMOS器件，其特征在于，PTOP区注入硼离子，N TOP区注入磷离子。
10.根据权利要求1或者2所述的一种具有HVBN结构的RESURF LDMOS器件，其特征在于，深N阱为漂移区，杂质剂量为3.0×1012cm-2–4.0×1012cm-2，结深10-20um，漂移区长度为35μm-45μm。
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