[发明专利]一种烧结钕铁硼磁体渗镝工艺

权利要求书

1.一种烧结钕铁硼磁体渗镝工艺，其特征在于，包括以下步骤：

（1）制备磁体黑片：选取烧结钕铁硼磁体，加工成磁体黑片；

（2）磁体黑片表面处理：对磁体黑片进行碱洗，再进行酸洗或者喷砂处理；

（3）制备渗材浆料：按60~70 wt %Dy、1~3 wt %Co、0.1~1 wt %Ni-Al-Zn-Ga、余量为Fe和不可避免的杂质的配比计量各金属原料，放入真空感应熔炼炉中熔化浇铸成铸片，铸片经氢爆或湿法盘磨初步破碎，加入液体介质进行湿法球磨，形成含有渗材粉末的渗材浆液；

（4）涂覆：将渗材浆液均匀涂覆在磁体黑片表面形成渗材粉末涂层；

（5）渗镝热处理：将表面涂覆有渗材粉末涂层的磁体黑片置于石墨盒中，在真空烧结炉中进行渗镝热处理；

（6）低温回火：待渗镝热处理后的磁体黑片冷却后，进行低温回火处理，冷却至常温即完成渗镝过程。

2.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼磁体渗镝工艺，其特征在于，步骤（1）中，磁体黑片厚度为3~5mm。

3.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼磁体渗镝工艺，其特征在于，步骤（2）中，碱洗采用含有浓度为1~1.5wt%氢氧化钠和浓度为0.5~1wt%的碳酸钠的水溶液，或为浓度为0.5~1wt%的磷酸三钠溶液；酸洗采用浓度为3~5wt%的稀硝酸溶液；喷砂选择氧化铝或者金刚石材料，喷砂粒度选择60 ~ 300目。

4.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼磁体渗镝工艺，其特征在于，步骤（3）中，渗材浆液中渗材粉末的具体粒度及分布范围为：D50：3.0~3.5μm，SMD2.0~2.2μm。

5.根据权利要求4所述的一种烧结钕铁硼磁体渗镝工艺，其特征在于，步骤（3）中，渗材浆液中渗材粉末与液体介质的质量比为1：（1~1.5）。

6.根据权利要求5所述的一种烧结钕铁硼磁体渗镝工艺，其特征在于，所述液体介质为无水乙醇、苯或甲苯。

7.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼磁体渗镝工艺，其特征在于，步骤（4）中，所述渗材粉末涂层厚度为5 ~ 30 μm。

8.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼磁体渗镝工艺，其特征在于，步骤（5）中，渗镝热处理的具体步骤为：升温至850~900℃，保温2~10h。

9.根据权利要求1所述的一种烧结钕铁硼磁体渗镝工艺，其特征在于，步骤（6）中，低温回火的具体步骤为：升温至450~500℃，保温2~6h。