[发明专利]掩模版

权利要求书

1.一种掩模版，其特征在于，包括：

基底，呈透明状；

掩模结构，具有图案，用于形成具有所述图案的膜层，所述掩模结构形成在所述基底上；以及频谱调节结构，用于调整曝光机光路系统发出光线的频谱，所述频谱调节结构形成在所述掩模结构上。

2.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述频谱调节结构包括至少一高折射膜层和至少一低折射膜层，所述高折射膜层和所述低折射膜层交替层叠设置。

3.根据权利要求2所述的掩模版，其特征在于，在所述频谱调节结构中，相邻的一所述高折射膜层和一低折射膜层层叠设置，二者的层叠界面为一透过界面，所述透过界面用于透过特定的光波长。

4.根据权利要求3所述的掩模版，其特征在于，在所述频谱调节结构中，相邻的两个所述透过界面各自用于透过不同特定的光波长，或各自均用于透过相同特定的光波长。

5.根据权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述高折射膜层的折射系数大于等于1.9，所述低折射膜层的折射系数小于等于1.5。

6.根据权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述高折射膜层的材料为TiO₂、Ta₂O₅、Nb₂O₅和SiO_xN_y中的一种，所述低折射膜层的材料为SiO₂或SiO_xN_y中的一种。

7.根据权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述高折射膜层的厚度介于50纳米至100纳米之间，所述低折射膜层的厚度介于40纳米至80纳米之间。

8.根据权利要求2所述的掩模版，其特征在于，所述高折射膜层和所述低折射膜层的总层数介于5层至50层之间。

9.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述掩模结构包括形成在基底上的铬层和形成在所述铬层上的保护层。

10.根据权利要求9所述的掩模版，其特征在于，所述保护层为氧化铬保护层。