[发明专利]有机电致发光器件以及显示装置

说明书

本申请涉及一种有机电致发光器件以及显示装置。有机电致发光器件包括：发光层、空穴传输层以及具有空穴传输性能的第一电荷控制层，发光层的主体材料为电子型主体材料，第一电荷控制层位于发光层与空穴传输层之间且连接空穴传输层，并且第一电荷控制层的HOMO能级比空穴传输层的HOMO能级以及发光层的HOMO能级均深。本申请有机电致发光器件可以防止载流子积累，进而提高器件寿命。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种有机电致发光器件以及显示装置。

背景技术

有机电致发光器件(OLED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件，其通常包括电子阻挡层和/或空穴阻挡层。电子阻挡层位于发光层与空穴传输层之间，进而防止来自阴极的电子进入到阳极侧而降低发光效果。空穴阻挡层位于发光层与电子传输层之间，进而防止来自阳极的空穴进入到阴极侧而降低发光效果。

发光层与电子阻挡层和/或空穴阻挡层的界面处容易存在载流子的积累，导致器件寿命降低。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够防止载流子积累的有机电致发光器件。

一种有机电致发光器件，包括：发光层、空穴传输层以及具有空穴传输性能的第一电荷控制层，所述发光层的主体材料为电子型主体材料，所述第一电荷控制层位于所述发光层与所述空穴传输层之间且连接所述空穴传输层，并且所述第一电荷控制层的HOMO能级比所述空穴传输层的HOMO能级以及所述发光层的HOMO能级均深。

在其中一个实施例中，所述第一电荷控制层的LUMO能级比所述发光层的LUMO能级浅，且所述第一电荷控制层的LUMO能级的绝对值小于电子阻挡阈值。

在其中一个实施例中，所述有机电致发光器件还包括位于所述第一电荷控制层与所述发光层之间的第二电荷控制层，且所述第二电荷控制层与所述第一电荷控制层以及所述发光层均连接，所述第二电荷控制层的LUMO能级位于所述第一电荷控制层的LUMO能级与所述发光层的LUMO能级之间。

在其中一个实施例中，所述第二电荷控制层的HOMO能级比所述第一电荷控制层的HOMO能级浅。

在其中一个实施例中，所述第二电荷控制层的空穴迁移率比所述第一电荷控制层的空穴迁移率大。

在其中一个实施例中，所述第二电荷控制层的LUMO能级比所述第一电荷控制层的LUMO能级深0.2eV以上。

一种有机电致发光器件，包括：发光层、空穴传输层以及具有电子传输性能的第三电荷控制层，所述发光层的主体材料为空穴型主体材料，所述第三电荷控制层位于所述发光层与所述电子传输层之间且连接所述电子传输层，并且所述第三电荷控制层的LUMO能级比所述电子传输层的LUMO能级以及所述发光层的LUMO能级均浅。

在其中一个实施例中，

所述第三电荷控制层的HOMO能级比所述发光层的HOMO能级深，且所述第三电荷控制层的HOMO能级的绝对值大于空穴阻挡阈值，

所述有机电致发光器件还包括位于所述第三电荷控制层与所述发光层之间的第四电荷控制层，且所述第四电荷控制层与所述第三电荷控制层以及所述发光层均连接，所述第四电荷控制层的HOMO能级位于所述第三电荷控制层的HOMO能级与所述发光层的HOMO能级之间。

在其中一个实施例中，所述第四电荷控制层的LUMO能级比所述第三电荷控制层的LUMO能级深；

和/或，所述第四电荷控制层的电子迁移率比所述第三电荷控制层的电子迁移率大。

一种显示装置，包括上述任一项所述的有机电致发光器件。