[发明专利]一种硅基光调制器光路监控结构

权利要求书

1.一种硅基光调制器光路监控结构，其特征在于，光路监控结构包括一个或多个光探头，每个光探头后端连接一个监控探测器；

所述光路监控结构与光调制器集成，所述光调制器包括合束器，所述一个或多个光探头分别与所述合束器的输出波导(011)耦合；

其中，当所述合束器的两端输入光为反相输入时，干涉相消，所述一个或多个光探头接收干涉后的散射光，并探测得到第一光功率；当所述合束器的两端输入光为同相输入时，干涉相长，所述一个或多个光探头接收合束光，并探测得到第二光功率；

通过设定所述硅基光调制器的光功率值为所述第一光功率和所述第二光功率之和的平均值，以便锁定所述硅基光调制器的偏置点。

2.根据权利要求1所述的硅基光调制器光路监控结构，其特征在于，所述光探头设置两个，分别为第一光探头(008)和第二光探头(012)，所述监控探测器相应设置两个，分别为第一监控探测器(007)和第二监控探测器(009)；

所述第一光探头(008)后端连接所述第一监控探测器(007)，所述第二光探头(012)后端连接所述第二监控探测器(009)；

所述第一光探头(008)和所述第二光探头(012)设置在所述输出波导(011)的同侧或两侧。

3.根据权利要求2所述的硅基光调制器光路监控结构，其特征在于，所述第一光探头(008)和所述第二光探头(012)分别设置在所述输出波导(011)的两侧，且各光探头的中心线与所述输出波导(011)的中心线呈一夹角。

4.根据权利要求3所述的硅基光调制器光路监控结构，其特征在于，各光探头的波导厚度H＝220nm，与所述输出波导(011)的厚度相同；

各光探头的末端宽度Wtip＝90nm；其中，所述末端为靠近所述输出波导(011)的一端；

各光探头末端与所述输出波导(011)中心线的水平距离dx＝1.2um，竖直距离dy＝1.4um；

两个光探头相对所述输出波导(011)的中心线呈对称分布，且各光探头的中心线与所述输出波导(011)中心线的夹角α＝8°。

5.根据权利要求1所述的硅基光调制器光路监控结构，其特征在于，所述光调制器为DP-IQ相位调制器，由四个MZI调制器结构组成，分别为X-I、X-Q、Y-I和Y-Q；所述光路监控结构设置6个，分别为第一光路监控结构(014)、第二光路监控结构(015)、第三光路监控结构(016)、第四光路监控结构(017)、第五光路监控结构(018)和第六光路监控结构(019)；

所述第一光路监控结构(014)用于监控X-I路MZI调制器结构的光功率，所述第二光路监控结构(015)用于监控X-Q路MZI调制器结构的光功率，所述第三光路监控结构(016)用于监控X路的光功率；所述第四光路监控结构(017)用于监控Y-I路MZI调制器结构的光功率，所述第五光路监控结构(018)用于监控Y-Q路MZI调制器结构的光功率，所述第六光路监控结构(019)用于监控Y路的光功率；

每个光路监控结构均包括两个光探头和两个监控探测器，且所述两个光探头对称设置在对应合束器输出波导的两侧。

6.根据权利要求5所述的硅基光调制器光路监控结构，其特征在于，在所述第三光路监控结构(016)和所述第六光路监控结构(019)的后端还设置有偏振旋转合束器(013)；

X偏振光和Y偏振光分别经过IQ正交相位调制后，由所述偏振旋转合束器(013)将X偏振和Y偏振的调制光进行合束。

7.根据权利要求1所述的硅基光调制器光路监控结构，其特征在于，当设置多个光探头时，对应的多个监控探测器并联，使得最终光电流为所述多个监控探测器探测的光电流之和。

8.根据权利要求1-7任一所述的硅基光调制器光路监控结构，其特征在于，所述光探头为一段锥形波导，锥形波导的粗端与对应的监控探测器连接，细端朝向所述输出波导(011)，并与所述输出波导(011)耦合。