[发明专利]芯片自毁系统以及方法

权利要求书

1.一种芯片自毁系统，其特征在于，所述芯片自毁系统包括：

升压电路，所述升压电路与被保护芯片连接；

采集电路，所述采集电路用于检测所述被保护芯片所处环境参数；

处理器，所述处理器用于基于所述环境参数，判断是否满足自毁条件，在满足所述自毁条件时，产生控制信号；

其中，所述控制信号用于驱动所述升压电路为所述被保护芯片提供设定高压信号，以毁坏所述被保护芯片。

2.根据权利要求1所述的芯片自毁系统，其特征在于，所述升压电路包括：第1级二极管-第N级二极管，N为大于1的正整数；

第1级二极管的正极为所述升压电路的输入端，用于输入电源电压；第N级所述二极管的负极为所述升压电路的输出端，用于输出所述高压信号；所述输出端通过并联的输出电容以及负载电阻接地；第i级二极管的负极连接第i+1级二极管的正极，i为不大于N-1的正整数；第i级二极管的负极与第i+1级二极管的正极之间具有第i个公共节点，第i个公共节点通过第i个存储电容接地，且通过第i个控制电容输入所述控制信号；

所述控制信号包括反相的第一控制信号以及第二控制信号；第i个控制电容与第i+1个控制电容中的一者输入所述第一控制信号，另一者输入所述第二控制信号。

3.根据权利要求1所述的芯片自毁系统，其特征在于，所述采集电路包括：

用于采集所述被保护芯片所处环境声音参数的声音传感器；

或，用于采集所述被保护芯片所处环境设定部件带电量参数的验电器；

或，用于采集所述被保护芯片所处环境光信号参数的光传感器。

4.根据权利要求1所述的芯片自毁系统，其特征在于，所述处理器判断是否满足自毁条件的方法包括：将所述环境参数与设定阈值比较，如果所述环境参数超过所述设定阈值，则满足所述自毁条件，反之，则不满足。

5.根据权利要求1所述的芯片自毁系统，其特征在于，所述设定高压信号大于所述被保护芯片的额定工作电压的130％。

6.根据权利要求1-5任一项所述的芯片自毁系统，其特征在于，所述被保护芯片包括存储电路，所述存储电路包括用于存储数据的CMOS；

满足所述自毁条件时，所述升压电路为所述CMOS的MOS管栅极输入所述设定高压信号，以使得所述MOS的栅氧层发生不可恢复击穿。

7.一种芯片自毁方法，其特征在于，所述芯片自毁方法包括：

采集被保护芯片所处环境参数；

基于所述环境参数，判断是否满足自毁条件；

如果是，产生控制信号，通过所述控制信号驱动升压电路为所述被保护芯片提供设定高压信号，以毁坏所述被保护芯片中。

8.根据权利要求7所述的芯片自毁方法，其特征在于，所述升压电路包括：

第1级二极管-第N级二极管，N为大于1的正整数；

第1级二极管的正极为所述升压电路的输入端，用于输入电源电压；第N级所述二极管的负极为所述升压电路的输出端，用于输出所述高压信号；所述输出端通过并联的输出电容以及负载电阻接地；第i级二极管的负极连接第i+1级二极管的正极，i为不大于N-1的正整数；第i级二极管的负极与第i+1级二极管的正极之间具有第i个公共节点，第i个公共节点通过第i个存储电容接地，且通过第i个控制电容输入所述控制信号；

所述控制信号包括反相的第一控制信号以及第二控制信号；第i个控制电容与第i+1个控制电容中的一者输入所述第一控制信号，另一者输入所述第二控制信号。

9.根据权利要求7所述的芯片自毁方法，其特征在于，判断是否满足自毁条件的方法包括：

将所述环境参数与设定阈值比较，如果所述环境参数超过所述设定阈值，则满足所述自毁条件，反之，则不满足。

10.根据权利要求7所述的芯片自毁方法，其特征在于，所述被保护芯片包括存储电路，所述存储电路包括用于存储数据的CMOS；

满足所述自毁条件时，所述升压电路为所述CMOS的MOS管栅极输入所述设定高压信号，以使得所述MOS的栅氧层发生不可恢复击穿。