[发明专利]半导体装置和存储系统在审
| 申请号: | 201910640662.8 | 申请日: | 2015-04-01 |
| 公开(公告)号: | CN110517715A | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
| 发明(设计)人: | 朴珉秀;丘泳埈 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号: | G11C11/406 | 分类号: | G11C11/406 |
| 代理公司: | 11363 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 许伟群;郭放<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储体信息 响应 计数控制信号 刷新操作 存储体 配置 激活 计数器 半导体装置 存储体地址 刷新控制 行激活 更新 | ||
1.一种存储系统,包括:
存储器控制器,其被配置成:针对刷新操作,提供行地址以作为指定多个存储体之中的要刷新的规定存储体的信息,以及随同所述行地址来提供刷新命令;以及
半导体装置,其被配置成:基于所述刷新命令来针对与所述行地址相对应并且被指定执行所述刷新操作的至少一个存储体执行所述刷新操作。
2.如权利要求1所述的存储系统,其中,所述存储器控制器被配置成:对于正常操作,向所述半导体装置提供存储体地址以作为用于指定多个存储体之中的规定存储体的地址,以及提供所述行地址以作为用于指定所述规定存储体的规定字线的地址。
3.如权利要求1所述的存储系统,其中,所述存储器控制器具有要刷新的所述存储体与所述行地址之间的一对一映射。
4.如权利要求3所述的存储系统,其中,通过将所述行地址的信号位选择性地设定至第一电平来指定要刷新的多个存储体。
5.如权利要求3所述的存储系统,其中,通过将所述行地址的信号位设定至第一电平或第二电平来将所述多个存储体中的全部指定为要刷新。
6.一种刷新控制块,包括:
储存单元,其被配置成:当多个存储体中的对应的存储体已经被刷新时,逐位设置刷新存储体信息,
其中,所述刷新存储体信息的比特位逐位与所述多个存储体相匹配。
7.根据权利要求6所述的刷新控制块,还包括:
逻辑电路,其被配置成:当所述刷新存储体信息的全部比特位均被设置时,激活计数控制信号。
8.根据权利要求7所述的刷新控制块,其中,所述储存单元被配置成:当所述计数控制信号被激活时,将所述刷新存储体信息复位。
9.根据权利要求7所述的刷新控制块,其中,所述刷新存储体信息指示针对所述多个存储体中的每一个的刷新操作的指定完成。
10.根据权利要求7所述的刷新控制块,还包括:
解码器,其被配置成:对单个存储体刷新命令和存储体地址进行解码,并且基于解码的单个存储体刷新命令和存储体地址来产生解码信号;以及
储存控制单元,其被配置成:将所述解码信号与全部存储体刷新命令进行组合,并且基于组合的解码信号和全部存储体刷新命令来生成输出信号。
11.根据权利要求10所述的刷新控制块,
其中,所述储存单元被配置成基于所述储存控制单元的所述输出信号来设置所述刷新存储体信息,以及
其中,所述逻辑电路为AND逻辑电路,所述AND逻辑电路被配置成:对所述刷新存储体信息执行AND运算,并且基于所述AND运算来激活所述计数控制信号。
12.一种半导体装置,包括:
多个存储体,其被配置成执行刷新操作;
刷新控制块,其被配置成:当所述多个存储体中的对应的存储体已经被刷新时,逐位设置刷新存储体信息,并且当所述刷新存储体信息的全部比特位均被设置时,激活计数控制信号,其中,所述刷新存储体信息的比特位逐位与所述多个存储体相匹配;以及
计数器,其被配置成在所述计数控制信号被激活时增加地址计数值。
13.根据权利要求12所述的半导体装置,
其中,所述存储体基于行激活信号和所述地址计数值来执行刷新操作。
14.一种用于刷新多个存储体的方法,所述方法包括:
对多个存储体执行刷新操作;
更新刷新存储体信息,所述刷新存储体信息指示针对所述多个存储体中的每一个的刷新操作的指定完成;以及
根据所述刷新存储体信息,仅在所述多个存储体全部都已经被刷新时改变行地址,
其中,所述刷新存储体信息的比特位逐位与所述多个存储体相匹配。
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