[发明专利]显示面板、显示装置及该显示面板的制备方法在审
| 申请号: | 201910633956.8 | 申请日: | 2019-07-15 |
| 公开(公告)号: | CN112234151A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
| 发明(设计)人: | 许传志;邢汝博 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 胡彭年 |
| 地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 制备 方法 | ||
本发明提供了一种显示面板、显示装置及该显示面板的制备方法,所述显示面板包括背光层及设置在所述背光层出光侧的第一光致发光层,所述背光层包括第一显示区域、第二显示区域及第三显示区域,所述第一显示区域包括若干第一发光单元,所述第一光致发光层对应设置于所述第一显示区域内。相邻所述第一发光单元之间设有第一凸块,所述第一光致发光层具有对应于所述第一发光单元的第一发光膜层、与所述第一凸块相对应的第一连接膜层。通过在相邻第一发光单元之间设置第一凸块,使得所述第一光致发光层应力集中在第一连接膜层,且所述第一光致发光层固化收缩使得第一发光膜层厚度大于第一连接膜层,更好避免第一发光膜层出现破裂、脱落。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板、显示装置及该显示面板的制备方法。
背景技术
QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes)作为新一代显示技术,具备亮度高、功耗低等诸多优点,其在近些年广受瞩目。现有OLED显示面板多采用蒸镀工艺生产,即将发光材料高温处理成小分子结构,再使其在指定位置重新凝结的工艺,此方法对环境要求极高,工序复杂,设备精密,且较难满足大尺寸显示面板的生产需求。相较而言,QLED显示面板通过在既定光源出光侧制作量子点膜层,其发光中心为半导体纳米晶体,可溶于多种溶液,进而通过喷墨打印等工艺进行制备,能够有效降低制造成本,也利于显示面板突破现有尺寸限制。
上述量子点膜层在成型固化及后续使用过程中无可避免会出现内部应力,特别是在柔性显示面板进行弯折时,量子点膜层会因前述应力而出现裂缝,甚而发生局部脱落,影响显示面板工作。
鉴于此,有必要提供一种新的显示面板、显示装置及该显示面板的制备方法。
发明内容
本发明目的在于提供一种显示面板、显示装置及该显示面板的制备方法,方便量子点膜层的制备,并能避免量子点膜层破裂、脱落,保证正常显示。
为实现上述发明目的,本发明提供一种显示面板,包括背光层及设置在所述背光层出光侧的第一光致发光层,所述背光层包括第一显示区域、第二显示区域及第三显示区域,所述第一显示区域包括若干第一发光单元,所述第一光致发光层对应设置于所述第一显示区域内且所述第一光致发光层用以在所述第一发光单元发出的光线激发下发出第一颜色光;相邻所述第一发光单元之间设有第一凸块,所述第一光致发光层具有对应于所述第一发光单元的第一发光膜层、位于相邻第一发光膜层之间且与所述第一凸块相对应的第一连接膜层。
作为本发明的进一步改进,所述显示面板还具有沿所述第一光致发光层的延伸方向设置在所述第一光致发光层旁侧的挡块,所述第一光致发光层位于相应的两所述挡块之间。所述挡块能够阻挡所述第一光致发光层制备过程出现材料流溢,保证第一发光膜层的均匀性,且利于控制所述第一光致发光层的成型精度。
作为本发明的进一步改进,所述第一凸块沿背离所述背光层方向的高度小于所述挡块的高度。通过将挡块设置超出第一凸块,更利于所述第一光致发光层的制备成型。
作为本发明的进一步改进,所述第一凸块的两端分别连接在两个所述挡块上,相邻两所述第一凸块与相应的挡块共同形成用以容置所述第一发光膜层的第一收容空间,所述第一发光单元沿竖直方向的投影位于所述第一收容空间范围内。也就是说,所述第一发光单元发出的光线可被第一发光膜层遮掩、吸收,再向外发出第一颜色光,减小光线损失并确保显示质量。
作为本发明的进一步改进,所述第一显示区域呈线性延伸,若干所述第一发光单元沿所述第一显示区域的延伸方向依次间隔排布。所述第一光致发光层相应设置呈线性延伸的长条状,大大降低生产难度及设备需求。
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