[发明专利]在半导体晶圆上形成薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910614302.0 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN110331386A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 罗兴安;胡淼龙;张春雷;蒋志超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/52 | 分类号： | C23C16/52;C23C16/50;C23C16/44;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/30;C23C16/26;C23C16/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体晶圆 薄膜 温度分布 加热半导体 参数类型 温度区 晶圆 | ||
1.一种在半导体晶圆上形成薄膜的方法，包括以下步骤：
根据薄膜的参数类型及参数分布，确定形成所述薄膜时，所述半导体晶圆上的温度分布；
根据所述温度分布加热所述半导体晶圆，而在所述半导体晶圆上形成多个温度区；以及
在所述半导体晶圆上形成薄膜。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体晶圆上的所述温度分布与离所述半导体晶圆的中心的距离相关。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述温度分布中，
离所述半导体晶圆的中心的距离越近，则温度越高；
离所述半导体晶圆的中心的距离越近，则温度越低；
离所述半导体晶圆的中心的距离从远到近，则温度先升高后降低；或者
离所述半导体晶圆的中心的距离从远到近，则温度先降低后升高。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体晶圆上的所述温度分布与以所述半导体晶圆的中心为极点的极坐标系的角度有关。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述参数类型包括厚度、折射率、消光系数和局部应力。
6.如权利要求1或5所述的方法，其特征在于，还包括预先建立所述参数类型所对应的参数分布和所述温度分布的对应关系表。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个温度区之间的温度差小于或等于20℃。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述薄膜的方法包括PECVD、SACVD和HDPCVD。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述薄膜的材料包括适用于PECVD方法的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅和碳，适用于SACVD方法的氧化硅和BPSG，以及适用于HDPCVD方法的氧化硅。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳以及BPSG。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910614302.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于细管内壁镀膜的低温化学气相沉积装置
- 下一篇：一种化学气相沉积工艺
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
