[发明专利]薄膜电致发光器件及其制备方法、电子设备

权利要求书

1.一种薄膜电致发光器件，其特征在于，包括

第一电极；

功能结构层，设于所述第一电极上；

第二电极，设于所述功能结构层上；

覆盖层，设于所述第二电极远离所述第一电极的一侧，所述覆盖层中具有离子化合物，该离子化合物的化学式为AX₂，其中A选自二价金属，X选自卤素；以及

光取出层，设于所述第二电极和所述覆盖层之间；

其中，

所述覆盖层材料的熔点低于750℃，且沸点低于1420℃；

所述光取出层的单线态能量大于或等于2.7 eV，且小于或等于3.1 eV。

2.根据权利要求1所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，所述二价金属为锌、镁、锡中的一种，所述卤素为氟、氯、溴、碘中的一种。

3.根据权利要求1所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，所述覆盖层对可见光的消光系数小于等于0.1，对可见光的透射率大于等于70％。

4.根据权利要求1所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，还包括所述覆盖层真空蒸镀于所述光取出层远离所述第二电极的一面；所述光取出层所用材料选择所述离子化合物、咔唑衍生物、二苯基呋喃衍生物、芳胺衍生物、三嗪衍生物中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极所用材料为金属或其化合物、金属合金、导电聚合物中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，所述功能结构层包括

空穴注入层，设于所述第一电极上；

空穴传输层，设于所述空穴注入层上；

发光层，设于所述空穴传输层上；

电子传输层，设于所述发光层上；

电子注入层，设于所述电子传输层上；

所述第二电极设于所述电子注入层上。

7.根据权利要求6所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，所述发光层中具有主体材料和掺杂材料，其中所述主体材料的结构式如下：

；

所述掺杂材料的结构式如下：

；

所述主体材料和所述掺杂材料的质量比为7:1-9:1。

8.一种制备方法，用以制备如权利要求1-7中任意一项所述的薄膜电致发光器件，其特征在于，包括以下步骤

提供一导电玻璃，其表面具有所述第一电极；

通过真空蒸镀法形成所述功能结构层于所述导电玻璃具有所述第一电极的一面；

通过真空蒸镀法形成所述第二电极于所述功能结构层远离所述第一电极的一侧；

通过真空蒸镀法形成所述光取出层于所述第二电极远离所述第一电极的一侧；所述光取出层的单线态能量大于或等于2.7 eV，且小于或等于3.1 eV；通过真空蒸镀法形成所述覆盖层于所述第二电极远离所述第一电极的一侧；所述覆盖层中具有离子化合物，该离子化合物的化学式为AX₂，其中A选自二价金属，X选自卤素。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，在所述的提供所述导电玻璃的步骤中，包括依次用去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗所述导电玻璃，然后用等离子体清洗器清洗所述导电玻璃；

在所述的形成所述功能结构层的步骤中，包括通过真空蒸镀法依次形成空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。

10.一种电子设备，其特征在于，具有如权利要求1-7中任意一项所述的薄膜电致发光器件。