[发明专利]电容外观的检测方法及装置、存储介质和处理器

说明书

本申请公开了一种电容外观的检测方法及装置、存储介质和处理器。该方法包括：获取电容外观的目标图像，其中，目标图像为多个图像，多个图像中至少包括电容的顶部图像、侧面图像、电容的外壳图像和电容端子的图像；将目标图像分割成至少一个检测区域；通过至少一个检测区域对目标图像中电容外观的缺陷进行检测，其中，电容外观的缺陷包括以下至少之一：电容的顶部的缺陷、电容的侧面的缺陷、电容端子的缺陷和电容的外壳的缺陷。通过本申请，解决了相关技术中对电容外观的检测不全面，还需人工二次检测，导致对电容外观的检测效率不高的问题。

技术领域

本申请涉及外观检测领域，具体而言，涉及一种电容外观的检测方法及装置、存储介质和处理器。

背景技术

先关技术中，现有的电容外观检测方法，只能检测电容的铝壳夹扁或凸起、端子变焦、或者歪斜等缺陷，无法检测电容顶部的端子变焦、顶部露白、侧面喷码不良，字符印刷不良，检测缺陷单一，不能对电容进行全方位的检测。同时，在对电容自动检测完，还需人工二次检测，检测效率不高，无法满足越来越高的质量要求。

针对相关技术中存在的上述问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本申请的主要目的在于提供一种电容外观的检测方法及装置、存储介质和处理器，以解决相关技术中对电容外观的检测不全面，还需人工二次检测，导致对电容外观的检测效率不高的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种电容外观的检测方法。该方法包括：获取电容外观的目标图像，其中，目标图像为多个图像，多个图像中至少包括电容的顶部图像、侧面图像、电容的外壳图像和电容端子的图像；将目标图像分割成至少一个检测区域；通过至少一个检测区域对目标图像中电容外观的缺陷进行检测，其中，电容外观的缺陷包括以下至少之一：电容的顶部的缺陷、电容的侧面的缺陷、电容端子的缺陷和电容的外壳的缺陷。

进一步地，在获取电容外观的目标图像之前，该方法还包括：对待检测的电容进行定位，并获取第一图像和第二图像，其中，第一图像是电容的顶部图像，第二图像是电容的侧面图像；依据第一图像，创建定位模板，其中，定位模板用于获取电容的定位角度；依据第二图像，创建字符模板和套管模板，其中，字符模板用于检测电容上印制的字符是否合格，套管模板用于检测电容的套管是否合格。

进一步地，依据第一图像，创建定位模板之后，该方法包括：确定第一检测区域，其中，第一检测区域为电容的顶部图像所处的检测区域；利用定位模板对第一检测区域进行匹配，获取定位角度；控制电容旋转定位角度，并获取电容的第三图像；利用定位模板对第三图像进行匹配，获取第一坐标值和第二坐标值，其中，第一坐标值为第三图像中电容的负极图标的坐标值，第二坐标值为第三图像中电容的负极端子的坐标值。

进一步地，利用定位模板对第三图像进行匹配，获取第一坐标值和第二坐标值之后，该方法包括：依据第一坐标值，对第三图像进行分割，并获取第二检测区域；提取第一数值和第二数值，其中，第一数值为第二检测区域的图像灰度值的均值，第二数值为第二检测区域的图像灰度值的方差值；依据第一数值与第二数值，确定第二检测区域内是否存在负极图标；若第二检测区域内不存在负极图标，则确定第三图像中电容的负极图标异常。

进一步地，利用定位模板对第三图像进行匹配，获取第一坐标值和第二坐标值之后，该方法还包括：依据第二坐标值，对第三图像进行分割，并获取第三检测区域，其中，第三检测区域内存在有负极端子的图像；对第三检测区域进行blob分析，以去除第三检测区域内的印花图案的干扰，并获取blob分析结果；根据blob分析结果，提取第三检测区域内的连通区域；如果不存在连通区域，则确定电容的顶部不存在打焦的现象；如果存在连通区域，计算连通区域的面积；如果连通区域的面积大于预设面积，则确定电容的顶部存在打焦的现象；如果连通区域的面积小于预设面积，则确定电容的顶部不存在打焦的现象。