[发明专利]一种掩膜版精密再生工艺及其系统

说明书

本发明公开了一种掩膜版精密再生工艺及其系统，解决了现有的掩膜版的一般清洗方法效率低下，对OLED掩膜版的精密再生效果不好，且无相应的成套系统来完成OLED掩膜版的高效精密再生的问题。本发明包括以下步骤：采用药液对掩膜版进行加热浸泡清洗，所述药液为有机酸或有机碱；采用纯水和压缩空气对步骤1处理后的掩膜版进行吹淋；采用纯水对步骤2处理后的掩膜版进行漂洗；采用易溶于水且易挥发醇对步骤3漂洗后的掩膜版进行漂洗；对步骤4处理后的掩膜版进行干燥。本发明具有对掩膜版的再生效果好，自动化程度高，效率高等优点。

技术领域

本发明涉及掩膜版清洗技术领域，具体涉及一种掩膜版精密再生工艺及其系统。

背景技术

有机电致发光显示器件(OLED)作为显示器的一大分支，因OLED属于自发光，不像LCD需要借助背光，故厚度薄、可视度和亮度均高，其次是电压需求低且省电效率高，加上响应速度快、重量轻等特性，被视为21世纪最具有前途的产品之一。

OLED制程中，在掩膜版(或挡板)与其基板对位的过程中，如果挡板或掩膜版开孔处存在杂质或异物，制作出的OLED会出现像素不良、破坏OLED基板等而导致不良。

目前，小世代线使用的挡板或掩膜版(如G4.5及以下)的清洁方式主要是人工手动清洁、半自动清洁等模式。伴随着高世代线的发展，高世代的挡板或掩膜版清洁，国内暂无该线体。如果靠人工清洁，存在随意性和不确定性，损坏风险较大。

目前，在OLED用的挡板或掩膜版清洗时，常用的方法是先用氢氧化钾(KOH)或四甲基氢氧化铵、NMP(N-甲基吡咯烷酮)溶液浸泡，然后在自动光学检测设备(AOI)中检查，检查结果不合格时，再次投入氢氧化钾(KOH)或四甲基氢氧化铵溶液、NMP(N-甲基吡咯烷酮)反复清洗，直至检查结果合格，但是上述清洗方法所用物质存在以下问题：1、氢氧化钾(KOH)溶液对一般的无机物清洗效果好，但因强碱对不锈钢腐蚀性较大；同时，对有机物去除能力一般，故在实际使用过程，常出现不锈钢OLED挡板或掩膜版腐蚀且有异物残留，影响客户端产品质量；2、四甲基氢氧化铵溶液对有机物的溶解能力非常好，但极易吸潮，在空气中迅速吸收二氧化碳(CO2)而完全分解气化，成本较高；同时，属于强腐蚀物品，对不锈钢腐蚀性较大。综上，四甲基氢氧化铵不适用于大批量使用；3、NMP(N-甲基吡咯烷酮)对有机物溶解能力非常好，但无法去除挡板或掩膜版表面的金属沉积膜或无机金属盐沉积膜。

由此可见，以上清洗方法存在效率低下，清洗效果不好，清洗质量不可控的问题。

OLED制程中使用的挡板或掩膜版上的杂质或异物可以通过精密再生去除，且在去除过程中需确保开孔部位不得有杂质或异物产生；与OLED基板对接的部位，不得有杂质或异物产生。

而现在的OLED掩膜版均是借鉴一般掩膜版的清洗方式，没有很好的精密再生方法来去除杂质或异物，也没有成套系统来实现OLED掩膜版的精密再生。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：现有的掩膜版的一般清洗方法效率低下，对OLED掩膜版的精密再生效果不好，且无相应的成套系统来完成OLED掩膜版的高效精密再生。

本发明提供了解决上述问题的一种掩膜版精密再生工艺及其系统。

本发明通过下述技术方案实现：

一种掩膜版精密再生工艺，包括以下步骤：

步骤1：采用药液对掩膜版进行加热浸泡清洗，所述药液为有机酸或有机碱；

步骤2：采用纯水和压缩空气对步骤1处理后的掩膜版进行吹淋；

步骤3：采用纯水对步骤2处理后的掩膜版进行漂洗；

步骤4：采用易溶于水且易挥发醇对步骤3漂洗后的掩膜版进行漂洗；

步骤5：对步骤4处理后的掩膜版进行干燥。