[发明专利]一种存储单元阵列外围电路及存储器件有效
申请号: | 201910579791.0 | 申请日: | 2019-06-28 |
公开(公告)号: | CN110277125B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 王瑜;阮庆 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | G11C16/08 | 分类号: | G11C16/08;G11C16/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 党丽 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 存储 单元 阵列 外围 电路 器件 | ||
1.一种存储单元阵列外围电路,其特征在于,所述存储单元阵列包括多个存储单元平面,每个存储单元平面包括M条本地字线;所述外围电路,包括:多条全局字线、多个全局字线电压选择模块和多个本地字线电压选择模块;
每条所述全局字线对应每个存储单元平面上的多条本地字线,且与所述全局字线电压选择模块一一对应;每条本地字线均对应一条全局字线;所述本地字线电压选择模块和所述本地字线一一对应;
所述全局字线电压选择模块,用于从选中电压和未选中电压中,选择其中之一电压经对应的全局字线输出至对应的本地字线电压选择模块的输入端;
所述本地字线电压选择模块,用于从对应的全局字线电压选择模块输出的电压和未选中电压中,选择其中之一电压输出至对应的本地字线。
2.根据权利要求1所述的存储单元阵列外围电路,其特征在于,当选中电压为k个时,k为大于1的整数;每个存储单元平面上相邻的k个本地字线对应不同的所述全局字线。
3.根据权利要求1所述的存储单元阵列外围电路,其特征在于,
所述全局字线电压选择模块和所述本地字线电压选择模块均为多路选择器。
4.根据权利要求1所述的存储单元阵列外围电路,其特征在于,所述未选中电压为多个;则,所述外围电路,还包括:多个未选中电压选择模块;
每个所述未选中电压选择模块对应一个存储单元平面上的至少一条本地字线,每条本地字线均对应一个所述未选中电压选择模块;
所述未选中电压选择模块,用于从所述多个未选中电压中,选择其中之一电压输出至对应的本地字线电压选择模块;
所述本地字线电压选择模块,具体从对应的全局字线电压选择模块输出的电压和对应的未选中电压选择模块输出的电压中,选择其中之一电压输出至对应的本地字线。
5.根据权利要求4所述的存储单元阵列外围电路,其特征在于,当所述未选中电压选择模块对应一个存储单元平面上的多条本地字线时,每个存储单元平面上连续的多个本地字线对应同一个所述未选中电压选择模块。
6.根据权利要求4所述的存储单元阵列外围电路,其特征在于,所述未选中电压选择模块为多路选择器。
7.根据权利要求1至6任一项所述的存储单元阵列外围电路,其特征在于,所述选中电压为k个,k为大于1的整数;则,所述外围电路,还包括:N个选中电压选择模块;
每个存储单元平面上第i个本地字线与第j个所述选中电压选择模块对应;j=i-ak,a为正整数,1≤i≤M,1≤j≤N,N大于或等于k;
所述选中电压选择模块,用于从k个选中电压中,选择其中之一电压输出至对应的全局字线电压选择模块的输入端;
所述全局字线电压选择模块,具体用于从对应的选中电压选择模块输出的电压和未选中电压中,选择其中之一电压经对应的全局字线输出至对应的本地字线电压选择模块的输入端。
8.根据权利要求7所述的存储单元阵列外围电路,其特征在于,所述选中电压选择模块为多路选择器。
9.一种存储器件,其特征在于,包括:存储单元阵列;
所述存储单元阵列包括多个存储单元平面,每个存储单元平面包括M条字线;M为大于1的整数;
所述存储器件,还包括如权利要求1-8任一项所述的存储单元阵列外围电路。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910579791.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。