[发明专利]有机发光二极管器件封装结构及其制作方法、及显示装置

权利要求书

1.一种有机发光二极管器件封装结构，用于封装有机发光二极管器件，其特征在于，包括依次层叠设置的第一无机层、封装单元层及第二无机层，所述第一无机层设于所述有机发光二极管器件的表面；所述封装单元层包括：

多个有机柱体，多个所述有机柱体间隔设于所述第一无机层背向所述有机发光二极管器件的表面；

第三无机层，所述第三无机层填充于每相邻两所述有机柱体的间隙，并包覆每一所述有机柱体；以及

有机平坦层，所述有机平坦层设于所述第三无机层与所述第二无机层之间。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管器件封装结构，其特征在于，所述第三无机层包括填充部和多个包覆部，所述填充部设于所述第一无机层背向所述有机发光二极管器件的表面，并填充于相邻两所述有机柱体之间，多个所述包覆部间隔设于所述填充部背向所述第一无机层的表面，一所述包覆部包覆一所述有机柱体，且每相邻两所述包覆部均存在间隙。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管器件封装结构，其特征在于，所述有机平坦层包括平坦部和多个插接部，多个所述插接部间隔设于所述平坦部的表面，且一所述插接部插接于一所述间隙内，所述平坦部背向所述插接部的表面连接于所述第二无机层。

4.如权利要求1所述的有机发光二极管器件封装结构，其特征在于，所述有机柱体的高度范围为3μm至5μm；和/或，

多个所述有机柱体的横截面面积之和为所述有机发光二极管器件面积的1％至10％。

5.如权利要求1所述的有机发光二极管器件封装结构，其特征在于，所述第一无机层、所述第二无机层及所述第三无机层的厚度范围均为0.5μm至5μm；和/或，

所述有机平坦层的厚度范围为1μm至5μm。

6.如权利要求1至5中任一项所述的有机发光二极管器件封装结构，其特征在于，所述封装单元层设置有至少两层，两所述封装单元层层叠设置，并设于所述第一无机层和所述第二无机层之间。

7.如权利要求6所述的有机发光二极管器件封装结构，其特征在于，相邻两所述封装单元层中的有机柱体交错排布。

8.一种有机发光二极管器件封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

于有机发光二极管器件的表面沉积第一无机层；

于所述第一无机层背向所述有机发光二极管器件的表面沉积多个有机柱体；

于所述第一无机层背向所述有机发光二极管器件的表面沉积第三无机层，所述第三无机层填充相邻两所述有机柱体的间隙，并包覆每一所述有机柱体；

于所述第三无机层背向所述第一无机层的表面沉积有机平坦层；

于所述有机平坦层背向所述第三无机层的表面沉积第二无机层，得到有机发光二极管器件封装结构。

9.如权利要求8所述的有机发光二极管器件封装结构的制作方法，其特征在于，于所述第三无机层背向所述第一无机层的表面沉积有机平坦层的步骤和于所述有机平坦层背向所述第三无机层的表面沉积第二无机层，得到有机发光二极管器件封装结构的步骤之间还包括：

于所述有机平坦层背向所述第三无机层的表面依次沉积多个所述有机柱体、所述第三无机层及所述有机平坦层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括有机发光二极管器件和设于所述有机发光二极管器件表面的有机发光二极管器件封装结构，所述有机发光二极管器件封装结构为如权利要求1至7中任一项所述的有机发光二极管器件封装结构。