[发明专利]存储器有效

专利信息
申请号: 201910556335.4 申请日: 2019-06-25
公开(公告)号: CN112133342B 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 熊保玉;董子刚 申请(专利权)人: 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司
主分类号: G06F17/15 分类号: G06F17/15
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 董文倩
地址: 311121 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 存储器
【权利要求书】:

1.一种存储器,其特征在于,包括:

存储单元,包括由多个存储元件形成的存储阵列;

卷积单元,与所述存储单元电连接,所述卷积单元具有卷积输入端,所述卷积单元用于对所述存储单元的存储数据和所述卷积输入端的输入数据进行卷积;

所述卷积单元包括:

第一选择器,包括第一端、第二端和第三端,所述第一选择器的第一端与所述存储元件电连接,所述第一选择器的第二端为所述卷积输入端;

卷积电流产生电路,包括第一端、第二端和第三端,所述第一选择器的第三端与所述卷积电流产生电路的第一端电连接,所述卷积电流产生电路的第二端输入卷积电压,所述卷积电流产生电路的第三端输出卷积电流;

模数转换器,包括输入端和输出端,所述模数转换器的输入端与所述卷积电流产生电路的第三端电连接,所述模数转换器用于将所述卷积电流转换为数字信号从所述模数转换器的输出端输出。

2.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述第一选择器有多个,多个所述第一选择器的第三端电连接。

3.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述卷积电流产生电路包括:

运算放大器,包括第一端、第二端和第三端,所述运算放大器的第一端为所述卷积电流产生电路的第一端,所述运算放大器的第二端为所述卷积电流产生电流的第二端。

4.根据权利要求3所述的存储器,其特征在于,所述卷积电流产生电路还包括:

NMOS管,所述运算放大器的第三端与所述NMOS管的栅极电连接,所述运算放大器的第一端与所述NMOS管的漏极电连接;

电流镜,包括输入端和输出端,所述电流镜的输入端与NMOS管的源极电连接,所述电流镜的输出端为所述卷积电流产生电路的第三端。

5.根据权利要求4所述的存储器,其特征在于,所述电流镜包括:

第一PMOS管,所述第一PMOS管的漏极与所述NMOS管的源极电连接,所述第一PMOS管的源极与电源电连接;

第二PMOS管,所述第二PMOS管的栅极分别与所述NMOS管的源极以及所述第一PMOS管的栅极电连接,所述第二PMOS管的源极与电源电连接,所述第二PMOS管的漏极为所述卷积电流产生电路的第三端。

6.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述卷积单元还包括:

第一控制电路,与所述卷积电流产生电路电连接,所述第一控制电路用于控制所述卷积电流产生电路的工作状态。

7.根据权利要求6所述的存储器,其特征在于,所述第一控制电路包括第一使能端和输出端,所述第一控制电路输出端与所述卷积电流产生电路的第二端电连接,在所述第一使能端输入第一使能信号的情况下,所述第一控制电路输出所述卷积电压。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的存储器,其特征在于,所述存储单元包括:

多个间隔的字线,各所述字线与所述存储阵列的一行的所述存储元件分别电连接;

多个间隔的位线,各所述位线与所述存储阵列的一列的所述存储元件分别电连接,且所述位线的一端与所述第一选择器的第一端电连接;

字线驱动器,与各所述字线电连接,所述字线驱动器用于向所述字线施加电压。

9.根据权利要求8所述的存储器,其特征在于,所述存储单元还包括:

读写电路,与所述存储阵列电连接;

译码器,与所述字线驱动器电连接,所述译码器用于控制所述字线驱动器的工作;

第二控制电路,与所述译码器电连接,所述第二控制电路用于控制所述译码器的工作,所述第二控制电路包括第二使能端,在所述第二使能端输入第二使能信号的情况下,所述译码器工作。

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