[发明专利]一种导热片和等离子体处理装置

说明书

本发明公开了一种导热片和等离子体处理装置，所述导热片用于将第一部件所发出的热量向第二部件进行传送，所述导热片包括：第一导热层和第二导热层，第一导热层的第一表面与第一部件的表面相接触，第二导热层的第一表面与第一导热层的第二表面相接触，第二导热层的第二表面与第二部件的表面相接触；第二导热层为可压缩变形的导热层，其包括若干个凸起结构，若干个凸起结构均分布在第一导热层的第二表面上。本发明具有使得导热片与第二部件持续保持良好的热接触，使得第二部件具有受热均匀的优点。

技术领域

本发明涉及导热技术领域，特别涉及一种导热片和等离子体处理装置。

背景技术

现有的导热片多为平面式导热片，导热片通常具有两个表面，其上表面和下表面，其上下表面相对设置，当导热片位于加热部件和第二部件之间时，其上表面和下表面中的一个表面与所述加热部件相接触，其另一个表面与所述第二部件相接触。当对第二部件进行加热时，第二部件遇到高温，其本身会发生变形，与导热片和加热部件之间的间隙会增大，又由于导热片是平面式的，其被压缩后不能很好的回弹，导致当第二部件发生形变之后，其与第二部件间会有间隙，导致与第二部件之间所形成的热接触面不均匀，进而使得所述第二部件受热不均匀。

等离子体处理装置采用包括蚀刻、物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、离子注入以及抗蚀去除(resist removal)的技术来处理基底(衬底或晶圆)。上述用于等离子体处理的等离子体处理装置包括含有顶电极和底电极的反应室。电极之间建立电场以将处理气体激发成等离子体状态，从而处理反应室中的基底。

在处理工艺中，为符合工艺要求，必须严格控制大量工艺参数，晶圆的关键尺寸就是其中至关重要的一个参数，反应腔室中的温度对晶圆关键尺寸的影响最为显著。通常，反应腔室温度高的区域，该区域中的自由基的浓度也高，而基于高浓度自由基的等离子体加工成的晶圆的关键尺寸也较小。在实际工艺过程中，通常反应腔室中央部的温度相对较高、边缘部的温度较低，容易造成晶圆中间区域的关键尺寸小、边缘区域关键尺寸大，从而使晶圆不同区域的关键尺寸失去均一性。

由于等离子体处理工艺的精密要求、以及晶圆各区域的关键尺寸应具有均一性的工艺要求。

所述顶电极包含于所述等离子体处理装置中的组合喷淋头中，为了减小加工过程中所述基底的关键尺寸的变化使得晶圆各区域的关键尺寸符合具有均一性的工艺要求，就需要控制所述顶电极的温度。

当所述导热片用在等离子体处理装置中的组合喷淋头中时，由于顶电极受到高温或发生形变导致其与所述导热片达不到良好的热接触，造成所述顶电极加热不均匀，进而造成被处理的晶圆受热不均匀，以及各处等离子浓度的不均匀使得晶圆各区域的关键尺寸不符合具有均一性的工艺要求。

发明内容

本发明的目的是提供一种导热片和等离子体处理装置，通过改变所述导热片的形状用以解决现有技术中，由于导热片具有的平面结构不能很好的回弹，使其在所述受热结构发生形变时，不能与加热结构和/或受热结构形成良好的热接触，进而影响所述第二部件受热不均匀的问题。

为了解决上述问题，本发明通过以下技术方案实现：

一种导热片，用于将第一部件所发出的热量向第二部件进行传送，所述导热片包括：第一导热层和第二导热层，所述第一导热层的第一表面与所述第一部件的表面相接触，所述第二导热层的第一表面与所述第一导热层的第二表面相接触，所述第二导热层的第二表面与所述第二部件的表面相接触；所述第二导热层为可压缩变形的导热层，其包括若干个凸起结构，若干个所述凸起结构均分布在所述第一导热层的第二表面上。

进一步的，所述第一部件和所述第二部件之间具有间隙，当所述第二部件受热变形时，所述导热片的初始厚度大于等于所述第一部件和所述第二部件之间的间隙。

进一步的，所述第一导热层为可压缩变形的导热层。