[发明专利]一种微米线阵列、雪崩紫外探测器和雪崩紫外探测器系统有效
申请号: | 201910543479.6 | 申请日: | 2019-06-21 |
公开(公告)号: | CN112117346B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 钟文安;刘剑锋;苏龙兴;赵宇;王玉超 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军63791部队 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/18 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 姚招泉 |
地址: | 615000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微米 阵列 雪崩 紫外 探测器 系统 | ||
1.一种微米线阵列,其特征在于,包括阵列排布的若干核壳结构微米线,所述核壳结构微米线包括线型核层半导体和壳层半导体,所述线型核层半导体与壳层半导体构成异质结;
所述微米线阵列的制备方法,包括如下步骤:
S1.制备AAO模板;
S2.通有惰性气体的管式炉沿惰性气体流动方向依次分为第二温区和第一温区,将壳层材料置于第二温区,将所述AAO模板和核层材料置于第一温区;
S3.第一温区升温后保温一定时间;
S4.第一温区停止加热,第二温区开始升温并保温一定时间,然后第二温区停止加热,得到所述微米线阵列。
2.一种雪崩紫外探测器,其特征在于,包括权利要求1所述微米线阵列和两个金属电极,两个所述金属电极分别与所述微米线阵列的线型核层半导体和壳层半导体形成欧姆接触。
3.根据权利要求2所述的雪崩紫外探测器,其特征在于,所述雪崩紫外探测器还包括保护环结构。
4.根据权利要求2所述的雪崩紫外探测器,其特征在于,所述微米线阵列经退火处理。
5.根据权利要求2所述的雪崩紫外探测器,其特征在于,所述微米线阵列经掺杂处理。
6.一种雪崩紫外探测器系统,其特征在于,包括权利要求2所述的雪崩紫外探测器和与所述雪崩紫外探测器电连接的信号放大电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的