[发明专利]一种阵列基板、显示面板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

显示区和围绕所述显示区的非显示区；

所述显示区包括多条触控走线和多个呈阵列排布的触控电极，一个所述触控电极与至少一条所述触控走线电连接；

所述非显示区包括控制芯片、公共电压控制电路和公共电压信号线；所述公共电压控制电路通过所述触控走线分别与各所述触控电极电连接，并与所述公共电压信号线电连接；

所述非显示区还包括至少一个电容，所述电容包括第一极板和第二极板，所述第二极板与所述公共电压信号线电连接；

所述阵列基板还包括衬底基板、设置于所述衬底基板一侧的第一金属层、设置于所述第一金属层远离所述衬底基板一侧的第二金属层；

所述阵列基板还包括第一氧化物导体层和第二氧化物导体层，所述第一氧化物导体层位于所述第二金属层远离所述衬底基板的一侧，所述第二氧化物导体层位于所述第一氧化物导体层远离所述衬底基板的一侧；

所述阵列基板还包括平坦化层，所述平坦化层位于所述第二金属层与所述第一氧化物导体层之间；

在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，在所述非显示区内，所述平坦化层的厚度为d1；在所述显示区内，所述平坦化层的厚度为d2；其中，d1＜d2。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一极板包括第一子极板，所述第一子极板位于所述第一金属层，所述第二极板包括第二子极板，所述第二子极板位于所述第二金属层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板还包括多晶硅层，所述多晶硅层位于所述第一金属层靠近所述衬底基板的一侧；

所述第二极板还包括第三子极板，所述第三子极板位于所述多晶硅层，且所述第二子极板与所述第三子极板电连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一极板包括第四子极板，所述第四子极板位于所述第一氧化物导体层，且所述第四子极板与所述第一子极板电连接；所述第二极板还包括第五子极板，所述第五子极板位于所述第二氧化物导体层，且与所述第二子极板电连接。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括衬底基板、设置于所述衬底基板一侧的第一氧化物导体层，设置于所述第一氧化物导体层远离所述衬底基板一侧的第二氧化物导体层；

所述第一极板包括第六子极板，所述第六子极板位于所述第一氧化物导体层，所述第二极板包括第七子极板，所述第七子极板位于所述第二氧化物导体层。

6.根据权利要求4或5所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第一氧化物导体层和所述第二氧化物导体层之间；

在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上，在所述非显示区内，所述第一绝缘层的厚度为d3；在所述显示区内，所述第一绝缘层的厚度为d4；其中，d3＜d4。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述非显示区包括多个所述电容，所述多个电容的多个所述第一极板电连接，多个所述第二极板彼此绝缘；或，所述多个电容的多个所述第二极板电连接，多个所述第一极板彼此绝缘。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述阵列基板还包括镂空部，所述非显示区包括第一非显示区和第二非显示区；

所述第一非显示区围绕所述镂空部设置，所述显示区围绕所述第一非显示区设置，所述第二非显示区围绕所述显示区设置；

所述触控电极包括常规电极和至少一个异形触控电极，

所述镂空部和至少一个所述异形触控电极相邻，且所述镂空部贯穿所述阵列基板的至少部分膜层。

9.一种显示面板，其特征在于，包括根据权利要求1-8任一项所述的阵列基板。

10.一种显示装置，其特征在于，包括根据权利要求9所述的显示面板。