[发明专利]一种防止SE电池生产过程印刷混片的检测方法有效
申请号: | 201910537266.2 | 申请日: | 2019-06-20 |
公开(公告)号: | CN110211890B | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 杨蕾;余波;王涛;丁士引 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 邓黎 |
地址: | 230088 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 se 电池 生产过程 印刷 检测 方法 | ||
本发明公开了一种防止SE电池生产过程印刷混片的检测方法,在SE激光掺杂和背面激光开槽之间加入拍照检测步骤,所述拍照检测步骤用来检测SE激光掺杂后的电池片是否与背面激光开槽提前设定适用的电池片型号一致。本发明通过在SE激光掺杂和背面激光开槽之间加入拍照台,并且通过提前建立好的坐标系来应对不同型号电池片的放置和检测,当相比较肉眼观测通过相机拍照和坐标系的对比更加便于识别,从而确定刚刚经过SE激光掺杂的电池片的型号,是否与背面激光开槽提前设定适用的电池片型号一致,从而避免后续生产中造成大量混片的情况,从而避免造成损失。
技术领域
本发明涉及SE电池印刷开槽技术领域,具体为一种防止SE电池生产过程印刷混片的检测方法。
背景技术
随着晶体硅技术的不断发展,太阳能电池生产规模的扩大以及电池价格的不断降低,降低生产成本、提高效率是电池技术发展的重点。对于现有的常规PERC电池,其正面具有较高的结深和磷浓度,而反射极的高复合会导致较低的开压和短路电流,而选择性发射电极(SE)是因为其在接受光照的区域低浓度掺杂,在金属栅线下高掺杂,形成横向高低结结构增加P-N结间电势差,减少扩散层复合并降低金属接触区电阻,从而使电池性能整体得到提高。
目前激光掺杂技术已被广泛运用到PERC以及PERC+产品的产线生产中,而选择发射电极技术提效,其中关键的一个步骤就是能够精准的将金属栅线印刷到激光掺杂区域,从而实现选择性发射电极的提效优势。目前在产线常规生产中,由于会出现不止一种进行批量生产的产品,从4BB、5BB以及目前的叠瓦产品,这些产品的正面激光掺杂图形会随着产品的变更而有所变化。且因为激光掺杂步骤在扩散后,在生产流程中较为靠前,在镀膜后的清晰度不易观察到,因此对于不同图形的激光掺杂区域,员工对产品不仔细观察,容易造成产线大批量混片,从而导致大量损失。
现有的SE+PERC产品,在生产过程中出现不止一种型号的电池片产品时,因为不同型号的电池片产品会有不同的激光图形,导致激光掺杂区域不同,而激光掺杂区域本身可识别度较差,不易通过肉眼进行观察,导致在后续背面激光开槽之前,无法识别出SE激光掺杂后的电池片型号是否与背面激光开槽所适用的电池片型号相同,例如:SE激光掺杂后的电池片为4BB电池片,电池片上掺杂有三根防断栅线,而此时后续的背面激光开槽机在激光开槽时必须对应开设有四根激光开槽线,这样才会对应的进行良好的激光开槽工序;而如果电池片上掺杂有三根防断栅线,且后续的背面激光开槽机在激光开槽时对应开设有五根或者多根激光开槽线,这样防断栅线与激光开槽线就无法进行对应开槽工序,使得后续生产中会造成大量的混片,造成损失,所以需要对SE激光掺杂后的电池片进行型号识别,与背面激光开槽进行匹配对应,而且在实际生产中,若在防断栅线的位置不进行激光掺杂,则会造成产品的EL不良。
发明内容
本发明的目的在于提供一种防止SE电池生产过程印刷混片的检测方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种防止SE电池生产过程印刷混片的检测方法,在SE激光掺杂和背面激光开槽之间加入拍照检测步骤,所述拍照检测步骤用来检测SE激光掺杂后的电池片是否与背面激光开槽提前设定适用的电池片型号一致。
优选的,所述拍照检测步骤具体包括:
S1、在背面激光开槽上料区前增加拍照台,在拍照台表面建立一次性坐标系;
S2、使用不同型号的电池片依次放置在拍照台上,在一次性坐标系上依次标记出电池片型号指代数;
S3、将SE激光掺杂后的电池片放置于拍照台上,使用相机对电池片型号指代数区域进行局部拍照,从而根据局部拍照区域内防断栅线与电池片型号指代数的对齐情况检测识别出电池片型号,将该电池片型号与激光开槽提前设定适用电池片型号进行对比;
S4、对比后若型号相同,则继续进行背面激光开槽,若型号不同,则停止背面激光开槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造