[发明专利]存储装置和形成存储装置的方法

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

第一段，包括多个第一存储单元；

第二段，包括多个第二存储单元，其中，所述第一段定位在所述第二段上方；

第一位线(BL)，对应于所述第一段，其中，在飞行位线方案中，所述第一位线越过所述第二段；

第一字线(WL)，对应于所述第一段；以及

第二字线，对应于所述第二段，其中，所述第一字线和所述第二字线被配置为在一个循环中被激活。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述多个第一存储单元和所述多个第二存储单元包括多于6个或少于6个的晶体管。

3.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：字线驱动器，被配置为驱动所述第一字线和所述第二字线。

4.根据权利要求1所述的存储装置，还包括，控制电路。

5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述控制电路被配置为独立地寻址所述第一字线和所述第二字线。

6.根据权利要求1所述的存储装置，还包括：

第一输入输出(IO)电路，对应于所述第一段；以及

对应于所述第二段的第二输入输出电路。

7.根据权利要求6所述的存储装置，其中，所述第一输入输出电路还包括：

多个第一多路复用器，对应于所述第一段；以及

多个第二多路复用器，对应于所述第二段，其中，所述多个第一多路复用器定位在所述多个第二多路复用器上方。

8.根据权利要求6所述的存储装置，其中，所述第二输入输出电路还包括：

多个第一多路复用器，对应于所述第一段；以及

多个第二多路复用器，对应于所述第二段，其中，所述多个第一多路复用器定位在所述多个第二多路复用器上方。

9.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述多个第一存储单元和所述多个第二存储单元包括静态随机存取存储器(SRAM)。

10.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述多个第一存储单元和所述多个第二存储单元包括多端口静态随机存取存储器。

11.根据权利要求1所述的存储装置，还包括，跟踪位线电路，包括：

第一位线跟踪电路，对应于所述第一段；以及

第二位线跟踪电路，对应于所述第二段，其中由所述第二位线跟踪电路对所述第二段执行的位线跟踪方案比由所述第一位线跟踪电路对所述第一段执行的位线跟踪方案更快。

12.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述多个第一存储单元布置为144列和256行。

13.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述多个第二存储单元布置为144列和256行。

14.一种存储装置，包括：

第一段，包括多个第一存储单元；

第二段，包括多个第二存储单元，其中，所述第一段定位在所述第二段上方；

多条第一位线(BL)，连接至所述多个第一存储单元；

多条第二位线，连接至所述多个第二存储单元，其中，在飞行位线方案中，所述第一位线越过所述第二段；

第一多路复用器，连接在所述多条第一位线和第一输入输出电路之间；以及

第二多路复用器，连接在所述多条第二位线和第二输入输出电路之间。

15.根据权利要求14所述的存储装置，还包括：

第一字线(WL)，对应于所述第一段对应；以及

第二字线，对应于所述第二段，其中，所述第一字线和所述第二字线被配置为在一个循环中被激活。