[发明专利]方法和腔室部件

权利要求书

1.一种方法，包括：

使用第一重复次数的原子层沉积工艺将氧化钇的第一膜层沉积到用于处理腔室的腔室部件的表面上；

使用第二重复次数的所述原子层沉积工艺将氧化锆的第二膜层沉积到所述腔室部件的所述表面上；

使用第三重复次数的所述原子层沉积工艺将氧化铝的额外膜层沉积到所述表面上；以及

通过退火在所述腔室部件的所述表面上形成互相扩散的Y_xZr_yAl_zO固态相的涂层组成物，

其中x、y和z的值是基于用于沉积所述第一膜层的所述原子层沉积工艺的所述第一重复次数、用于沉积所述第二膜层的所述原子层沉积工艺的所述第二重复次数和用于沉积所述额外膜层的所述原子层沉积工艺的所述第三重复次数。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成所述互相扩散的Y_xZr_yAl_zO固态的涂层组成物包括：在范围从约800℃至约1800℃、从约800℃至约1500℃、或从约800℃至约1000℃的温度下使包括所述第一膜层和所述第二膜层的所述腔室部件退火。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述互相扩散的Y_xZr_yAl_zO固态的涂层组成物包括结晶Y_xZr_yAl_zO。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述腔室部件具有长度与直径(L:D)的长径比的范围从约50:1到约100:1的部分，且其中所述表面是所述L:D的长径比的范围从约50:1到约100:1的部分的内部部分。

5.如权利要求1所述的方法，其中用于沉积所述第二膜层的前体包括溴化锆(IV)、氯化锆(IV)、叔丁醇锆(IV)、四(二乙基酰胺基)锆(IV)、四(二甲基酰胺基)锆(IV)、或四(乙基甲基酰胺基)锆(IV)中的至少一种，且其中用于沉积所述第二膜层的反应物包括H₂O、O₂、或O₃中的至少一种。

6.如权利要求1所述的方法，其中用于沉积所述第一膜层的前体包括三(N,N-双(三甲基甲硅烷基)酰胺)钇(III)、三(环戊二烯基)钇(III)、三(丁基环戊二烯基)钇(III)、或三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钇(III)中的至少一种，以及其中用于沉积所述第一膜层的反应物包括H₂O、O₂、或O₃中的至少一种。

7.如权利要求1所述的方法，其中用于沉积所述第二膜层的前体包括二乙基乙醇铝、三(乙基甲基酰胺基)铝、仲丁醇铝、三溴化铝、三氯化铝、三乙基铝、三异丁基铝、三甲基铝、或三(二乙基酰胺基)铝中的至少一种，以及其中用于沉积所述第二膜层的反应物包括H₂O、O₂、或O₃中的至少一种。

8.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

附加交替地将氧化钇的第一多个膜层中的一个沉积到所述腔室部件的所述表面上、将氧化锆的第二多个额外膜层中的一个沉积到所述腔室部件的所述表面上和将氧化铝的第三多个膜层中的一个沉积到所述腔室部件的所述表面上，直至所述第一膜层、所述第二膜层、所述额外膜层、所述第一多个膜层、所述第二多个膜层和所述第三多个膜层的组合厚度达到目标厚度。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述第一膜层具有与所述第二膜层不同的厚度。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述互相扩散的Y_xZr_yAl_zO固态相的涂层组成物是同质的。