[发明专利]成膜装置

说明书

本发明提供一种成膜装置，能够将在同一成膜装置中形成的薄膜的膜质控制为多种多样的膜质。本公开的成膜装置具备：能够进行真空排气的处理容器、下部电极、上部电极、气体供给部、电压施加部以及切换部。在处理容器内，在下部电极载置被处理基板。在处理容器内，上部电极与下部电极相向地配置。气体供给部将用于在上部电极与下部电极之间的处理空间进行等离子体化的成膜原料气体供给到处理空间。电压施加部具有高频电源和直流电源，并向上部电极施加从高频电源和直流电源中的至少一方输出的电压。切换部将向上部电极施加的电压在从高频电源输出的高频电压、从直流电源输出的直流电压、以及将直流电压叠加于高频电压所得到的叠加电压之间进行切换。

技术领域

本发明涉及一种成膜装置。

背景技术

以往，在半导体集成电路的制造中，使用成膜装置来对半导体晶圆等基板进行成膜。在成膜装置中，在被设定为规定的真空度的腔室(处理容器)内配置基板，并向腔室内供给成膜原料气体来生成等离子体，由此对基板进行成膜。作为成膜技术，已知例如等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)、等离子体ALD(Atomic LayerDeposition：原子层沉积)等。

专利文献1：日本特开2009-239012号公报

发明内容

发明要解决的问题

本公开提供一种能够将在同一成膜装置中形成的薄膜的膜质控制为多种多样的膜质的技术。

用于解决问题的方案

本公开的一个方式的成膜装置具备：能够进行真空排气的处理容器、下部电极、上部电极、气体供给部、电压施加部以及切换部。在所述处理容器内，在下部电极载置被处理基板。在所述处理容器内，上部电极与所述下部电极相向地配置。气体供给部将用于在所述上部电极与所述下部电极之间的处理空间进行等离子体化的成膜原料气体供给到所述处理空间。电压施加部具有高频电源和直流电源，并向所述上部电极施加从所述高频电源和所述直流电源中的至少一方输出的电压。切换部将向所述上部电极施加的电压在从所述高频电源输出的高频电压、从所述直流电源输出的直流电压、以及将所述直流电压叠加于所述高频电压所得到的叠加电压之间进行切换。

发明的效果

根据本公开，能够将在同一成膜装置中形成的薄膜的膜质控制为多种多样的膜质。

附图说明

图1是示出实施方式所涉及的成膜装置的结构的一例的图。

图2是示出实施方式所涉及的高频电压的一例的图。

图3是示出实施方式所涉及的直流脉冲电压的一例的图。

图4是示出实施方式所涉及的叠加电压的一例的图。

图5是示出实施方式所涉及的成膜处理的流程的一例的时序图。

图6是示出在实施方式的各个等离子体生成条件下形成的TiO₂膜的顶部位置、侧部位置以及底部位置处的WER的一例的图。

图7是示出实施方式的叠加电压中的DC脉冲电力与膜应力之间的关系的一例的图(1)。

图8是示出实施方式的叠加电压中的DC脉冲电力与膜应力之间的关系的一例的图(2)。

图9是示出在实施方式的各个等离子体生成条件下形成的TiO₂膜的折射率的一例的图。

图10是示出在实施方式的各个等离子体生成条件下形成的膜的均匀性的一例的图。