[发明专利]阵列基板及其修复方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括多个级联的驱动电路，所述驱动电路包括多个薄膜晶体管和一存储电容；

所述存储电容包括：

形成于基板上的第一金属层；

绝缘层，形成于所述基板上、并覆盖所述第一金属层；

第二金属层，形成于所述绝缘层对应于所述第一金属层的上方；其中，所述第二金属层在所述基板上的投影与所述第一金属层在所述基板上的投影有交叠；

保护层，形成于所述绝缘层上、并覆盖所述第二金属层；

第三金属层，形成于所述保护层对应于所述第二金属层的上方；其中，所述第三金属层在所述基板上的投影与所述第二金属层在所述基板上的投影有交叠；所述第三金属层通过贯穿所述保护层、绝缘层的过孔与所述第一金属层连接；所述第三金属层开设有一掏空图形，所述掏空图形不超出所述第三金属层的边缘位置，使所述第三金属层被所述掏空图形间隔后的各子金属层之间部分连接；所述第三金属层被所述掏空图形间隔成至少四块子金属层，各所述子金属层之间部分连接，所述掏空图形为空心的“十”字形结构，且空心的“十”字形结构中，横向部分的宽度小于纵向部分的宽度。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第三金属层对应所述过孔的位置镂空出两个区域。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第三金属层的厚度为500埃-2000埃。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述四块子金属层分别定义为第一子金属层、第二子金属层、第三子金属层及第四子金属层；所述第一子金属层与所述第二金属层形成第一子电容，所述第二子金属层与所述第二金属层形成第二子电容，所述第三子金属层与所述第二金属层形成第三子电容，所述第四子金属层与所述第二金属层形成第四子电容。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子电容、第二子电容、第三子电容或第四子电容覆盖的区域落入杂质时，使用激光将杂质覆盖的电容区域切割。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路包括：

第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一端用于接收一控制信号，第二端电性耦接至所述第一端，第三端电性耦接至一提升节点；

第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的第一端电性耦接至所述提升节点，第二端用于接收一时钟信号，第三端用于输出一路输出脉冲信号；

第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的第一端电性耦接至一下拉节点，第二端接收所述输出脉冲信号，第三端连接一预设的低电位。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动电路还包括：

第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的第一端电性耦接至所述下拉节点，第二端电性耦接至所述提升节点，第三端连接所述预设的低电位。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括多条扫描线，各级驱动电路的第二薄膜晶体管的第三端均与对应的所述扫描线电连接。

9.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容耦接在所述提升节点和所述第二薄膜晶体管的第三端之间。

10.一种如权利要求1-9任一项所述的阵列基板的修复方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一检测设备；

通过所述检测设备对所述驱动电路的存储电容进行检测；

响应于检测到所述存储电容中存在至少一子金属层覆盖的区域中有杂质，则通过激光切割将所述杂质覆盖的区域切断从而使得有杂质的子金属层无法通过电连接接入所在的驱动电路。

11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。