[发明专利]二次电池及其制备方法、用电设备有效
| 申请号： | 201910494865.0 | 申请日： | 2019-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN110165303B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 夏晖;孙硕;夏求应;昝峰;徐璟;岳继礼 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学北方研究院 |
| 主分类号： | H01M10/058 | 分类号： | H01M10/058;H01M10/0562 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 程晓 |
| 地址： | 300000*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二次 电池 及其 制备 方法 用电 设备 | ||
1.一种二次电池，其特征在于，包括依次层叠设置的氧化钼正极、含锂的固态电解质、以及氧化钼负极；
所述的二次电池，其制备方法为采用磁控溅射法依次制作氧化钼正极、含锂的固态电解质、以及氧化钼负极；
所述氧化钼正极和/或氧化钼负极的厚度为400-600nm；
所述二次电池，其结构为对称电池结构。
2.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，氧化钼为MoO2或MoO3。
3.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，含锂的固态电解质的厚度为1-3μm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的二次电池，其特征在于，含锂的固态电解质选自锂的氧化物。
5.根据权利要求1-3任一项所述的二次电池，其特征在于，锂的氧化物选自LiPON。
6.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，其在制备氧化钼正极时，以钼为靶材，在通入氧气和惰性气体的条件下，在基片表面溅射得到所述正极。
7.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，在制备氧化钼负极时，以钼为靶材，在通入氧气和惰性气体的条件下，在含锂的固态电解质表面溅射得到所述负极。
8.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，在制备氧化钼正极时，以氧化钼为靶材，在通入惰性气体的条件下，在基片表面溅射得到所述正极。
9.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，在制备氧化钼负极时，以氧化钼为靶材，在通入惰性气体的条件下，在含锂的固态电解质表面溅射得到所述负极。
10.根据权利要求1所述的二次电池，其特征在于，制备方法中通入氧气的体积流量为8-12sccm，通入惰性气体的体积流量为35-45sccm。
11.根据权利要求1或8所述的二次电池，其特征在于，制备方法中溅射前真空腔室的真空度为(2-9)×10-5Pa。
12.根据权利要求1或8所述的二次电池，其特征在于，基片的温度为100-210℃。
13.根据权利要求1或8所述的二次电池，其特征在于，溅射功率密度为1-2W/cm2，溅射时间为1.5-2.5h。
14.根据权利要求1或8所述的二次电池，其特征在于，溅射时的靶基距为70-90mm。
15.根据权利要求1或8所述的二次电池，其特征在于，在溅射前还包括预溅射8-12min的步骤。
16.根据权利要求1或8所述的二次电池，其特征在于，在溅射得到正极和负极后，均还包括退火的步骤。
17.根据权利要求1或8所述的二次电池，其特征在于，退火温度为200-300℃，退火时间为1.5-2.5h。
18.一种用电设备，包括权利要求1-17任一项所述的二次电池。
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