[发明专利]磁检测装置

说明书

本发明的磁检测装置具备：第一磁检测元件，具有第一电阻值，第一电阻值因施加第一方向的第一磁场而增大且因施加第二方向的第二磁场而减小；以及第二磁检测元件，具有第二电阻值，第二电阻值因施加第一磁场而减小且因施加第二磁场而增大。第一磁检测元件和第二磁检测元件均包括第一磁阻效应膜和第二磁阻效应膜，第一磁阻效应膜具有第一长轴方向，第一长轴方向相对于第一方向以第一倾斜角度倾斜；第二磁阻效应膜与第一磁阻效应膜串联且具有第二长轴方向，第二长轴方向相对于第一方向以第二倾斜角度倾斜。而且，该磁检测装置满足条件表达式(1)和条件表达式(2)。

技术领域

本发明涉及一种具备磁检测元件的磁检测装置。

背景技术

迄今，已经有人提出过一些使用了磁阻效应元件的磁检测装置。例如在专利文献1中公开了一种磁场检测装置，其使沿导体中电流流动方向延伸的中心线方向与沿磁阻效应元件的长度方向延伸的中心线方向不同。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-1118号公报

发明内容

然而，对于这样的磁检测装置，还需要进一步提高检测精度。

因此，期望提供一种能够发挥高检测精度的磁检测装置。

作为本发明的一种实施方式的磁检测装置，具备：第一磁检测元件，具有第一电阻值，第一电阻值因施加第一方向的第一磁场而增大且因施加与第一方向相反的第二方向的第二磁场而减小；以及第二磁检测元件，具有第二电阻值，第二电阻值因施加第一磁场而减小且因施加第二磁场而增大。此处，第一磁检测元件和第二磁检测元件均包括第一磁阻效应膜和第二磁阻效应膜，第一磁阻效应膜具有第一长轴方向，第一长轴方向相对于第一方向以第一倾斜角度倾斜；第二磁阻效应膜与该第一磁阻效应膜串联且具有第二长轴方向，第二长轴方向相对于第一方向以第二倾斜角度倾斜。而且，该磁检测装置满足下列条件表达式(1)和条件表达式(2)。其中，θ1是第一长轴方向相对于第一方向的第一倾斜角度，θ2是第二长轴方向相对于第一方向的第二倾斜角度。

0°＜θ1＜90°……(1)

-90°＜θ2＜0°……(2)

附图说明

图1是立体图，示出本发明的一种实施方式的磁检测装置的整体结构例。

图2A是俯视图，示出图1所示的磁检测装置的主要部分的平面结构。

图2B是俯视图，示出图1所示的磁检测装置的另一主要部分的平面结构。

图3A是特性图，示出图2A和图2B所示的磁阻效应膜的磁化自由层的反转磁场与磁阻效应膜的倾斜角度之间的关系。

图3B是特性图，示出图2A和图2B所示的磁阻效应膜的对信号磁场进行归一化后的输出与磁阻效应膜的倾斜角度之间的关系。

图4是图1所示的磁检测装置的电路图。

图5A是分解立体图，示出图1所示的第一磁检测元件中包括的第一磁阻效应膜的叠层结构。

图5B是分解立体图，示出图1所示的第一磁检测元件中包括的第二磁阻效应膜的叠层结构。

图5C是分解立体图，示出图1所示的第二磁检测元件中包括的第三磁阻效应膜的叠层结构。

图5D是分解立体图，示出图1所示的第二磁检测元件中包括的第四磁阻效应膜的叠层结构。

图6A是分解立体图，示出图1所示的第一磁检测元件中包括的第一磁阻效应膜的另一叠层结构。

图6B是分解立体图，示出图1所示的第一磁检测元件中包括的第二磁阻效应膜的另一叠层结构。