[发明专利]原位实时等离子腔室状态监测在审
申请号: | 201910457530.1 | 申请日: | 2019-05-29 |
公开(公告)号: | CN111261544A | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | T-Y·谢;S·R·库拉库拉 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 汪骏飞;侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 原位 实时 等离子 状态 监测 | ||
1.一种方法,包括:
对于腔室中的每个晶片,原位监测所述腔室中的自由基的频率和波长;
将所述自由基的所述频率和所述波长与至少一种选定的化学物质相关联;以及
将所相关联的自由基与指数进行比较,其中所述指数包括所述至少一种选定的化学物质中的每种化学物质的目标范围。
2.如权利要求1所述的方法,进一步包括当所相关联的自由基不在所述目标范围内时,响应于所述比较而改变原位腔室状态配方。
3.如权利要求1所述的方法,进一步包括将所述腔室置于以下中的一个中:
当所相关联的自由基降至低于所述目标范围时将所述腔室置于预防性维护周期;并且
当所相关联的自由基在所述目标范围内时将所述腔室置于生产周期中。
4.如权利要求1所述的方法,进一步包括绘制每个比较。
5.如权利要求1所述的方法,进一步包括当在以下中的至少一个时提供警报:
所相关联的自由基在所述目标范围内;
所相关联的自由基低于所述目标范围;以及
所相关联的自由基高于所述目标范围。
6.如权利要求1所述的方法,其中在以下中的一个期间发生监测:
晶片生产周期;以及
腔室清洁周期。
7.如权利要求6所述的方法,其中所述腔室清洁周期包括:
腔室调配周期;以及
腔室检定周期。
8.如权利要求7所述的方法,进一步包括:
调配晶片,直到所述腔室内的氢氧化物水平处于稳定状态;以及
执行检定周期。
9.如权利要求1所述的方法,其中所述监测和所述比较包括以下中的至少一个:
监测在所述腔室中与氢氧化物相关联的所述自由基的频率和波长,并且将所相关联的氢氧化物自由基与关于氢氧化物的指数进行比较;以及
监测在所述腔室中与氟相关联的所述自由基的频率和波长,并将所相关联的氟自由基与关于氟的指数进行比较。
10.如权利要求1所述的方法,其中所述监测和所述比较包括以下中的至少一个:
监测在所述腔室中与氢氧化物相关联的所述自由基的频率和波长,并且将所相关联的氢氧化物自由基与关于氢氧化物的指数进行比较;
监测在所述腔室中与氟相关联的所述自由基的频率和波长,并且将所相关联的氟自由基与关于氟的指数进行比较;
监测在所述腔室中与氢相关联的所述自由基的频率和波长,并且将所相关联的氢自由基与关于氢的指数进行比较;
监测在所述腔室中与氯相关联的所述自由基的频率和波长,并且将所相关联的氯自由基与关于氯的指数进行比较;
监测在所述腔室中与氧相关联的所述自由基的频率和波长,并且将所相关联的氧自由基与关于氧的指数进行比较;
监测在所述腔室中与氩相关联的所述自由基的频率和波长,并且将所相关联的氩自由基与关于氩的指数进行比较;
监测在所述腔室中与氙相关联的所述自由基的频率和波长,并且将所相关联的氙自由基与关于氙的指数进行比较;
监测在所述腔室中与硅相关联的所述自由基的频率和波长,并且将所相关联的硅自由基与关于硅的指数进行比较;
监测在所述腔室中与氮化硅相关联的所述自由基的频率和波长,并且将所相关联的氮化硅自由基与关于氮化硅的指数进行比较;以及
监测在所述腔室中与碳相关联的所述自由基的频率和波长,并且将所相关联的碳自由基与关于碳的指数进行比较。
11.如权利要求1所述的方法,进一步包括将多个晶片插入所述等离子体腔室中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造