[发明专利]充电散热电路、方法、可穿戴设备及计算机可读存储介质

说明书

本申请公开了一种充电散热电路、方法、可穿戴设备及计算机可读存储介质，所述充电散热电路包括：充电座侧电路、MOS管及控制模块，控制模块包括控制端，控制端与MOS管和充电接口相连接，控制端用于控制MOS管的导通状态。所述充电散热方法包括：在可穿戴设备进行充电的过程中，确定CPU是否接收到可穿戴设备的输入指令；若CPU接收到输入指令，则通过CPU调节MOS管栅极的电位；若所述电位为低电位，则控制所述PMI通过所述充电接口的VBUS进行充电，其中，所述PMOS管导通，所述NMOS管关闭，所述风扇系统进入运行状态。本发明解决了在可穿戴设备进行充电时，散热效果较差的技术问题。

技术领域

本申请涉及电子技术领域，尤其涉及一种充电散热电路、方法、可穿戴设备及计算机可读存储介质。

背景技术

近年来，可穿戴设备的发展受到了越来越多的用户的青睐，需求量也越来越大，而且呈现大屏趋势。目前对于可穿戴设备的充电方式通常使用充电底座进行充电的方式，即将可穿戴设备的金属触点放置在充电底座上进行充电，但是这样进行充电很容易造成充电底座以及可穿戴设备出现明显的发热现象，特别是用户在使用可穿戴设备的同时，对可穿戴设备进行充电，发热现象会更加明显。针对这一技术问题，目前的智能散热系统有通过可穿戴设备侧贴合散热石墨片或者是增加冷凝管来进行散热，但是受限于可穿戴设备的体积，很多时候都无法使用这些散热措施，从而使得可穿戴设备在进行充电时，还是很容易出现发热的现象。因此，如何提高可穿戴设备进行充电时的散热效果成为了目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种充电散热电路、方法、可穿戴设备以及计算机可读存储介质，旨在解决现有技术中在可穿戴设备进行充电时，散热效果较差的技术问题。

为实现上述目的，本发明实施例提供一种充电散热电路，所述充电散热电路包括：

充电座侧电路，所述充电座侧电路设有风扇系统和充电接口，所述风扇系统的正极和所述充电接口的正极相连接，负极与所述充电接口的公共端相连接；

MOS管，所述MOS管设置在所述充电接口的正极与控制端之间；

控制模块，所述控制模块包括所述控制端，所述控制端与所述MOS管和所述充电接口相连接，所述控制端用于控制所述MOS管的导通状态。

可选地，所述MOS管包括PMOS管和NMOS管，所述PMOS管的漏极和所述充电接口的正极相连接、所述PMOS管的源极和电源电压VDD相连接；

所述NMOS管的源极和所述充电接口的正极相连接，所述NMOS管的栅极和所述PMOS管的栅极相连接，所述NMOS管的漏极与所述控制端相连接。

可选地，所述控制端包括CPU、电源芯片PMI，

所述CPU和所述PMI相连接，并和所述MOS管的栅极相连接，所述CPU用于接收可穿戴设备的输入指令，并向与所述MOS管的栅极输出所述输入指令对应的电位，以控制所述MOS管的导通状态；

所述PMI分别和NMOS的漏极、充电接口的电源接线VBUS、负极和公共端相连接。

此外，为实现上述目的，本发明还提供一种充电散热方法，应用于上述的充电散热电路，所述充电散热方法包括以下步骤：

在可穿戴设备进行充电的过程中，确定所述CPU是否接收到所述可穿戴设备的输入指令；

若所述CPU接收到所述输入指令，则通过所述CPU调节所述MOS管栅极的电位；

若所述电位为低电位，则控制所述PMI通过所述充电接口的VBUS进行充电，其中，所述PMOS管导通，所述NMOS管关闭，所述风扇系统进入运行状态。

可选地，所述根据所述输入指令确定所述CPU与所述MOS管栅极的电位的步骤之后，包括：