[发明专利]充电散热电路、方法、可穿戴设备及计算机可读存储介质

权利要求书

1.一种充电散热电路，其特征在于，所述充电散热电路包括：

充电座侧电路，所述充电座侧电路设有风扇系统和充电接口，所述风扇系统的正极和所述充电接口的正极相连接，负极与所述充电接口的公共端相连接；

MOS管，所述MOS管设置在所述充电接口的正极与控制端之间；

控制模块，所述控制模块包括所述控制端，所述控制端与所述MOS管和所述充电接口相连接，所述控制端用于控制所述MOS管的导通状态。

2.如权利要求1所述的充电散热电路，其特征在于，所述MOS管包括PMOS管和NMOS管，

所述PMOS管的漏极和所述充电接口的正极相连接、所述PMOS管的源极和电源电压VDD相连接；

所述NMOS管的源极和所述充电接口的正极相连接，所述NMOS管的栅极和所述PMOS管的栅极相连接，所述NMOS管的漏极与所述控制端相连接。

3.如权利要求1-2任意一个所述的充电散热电路，其特征在于，所述控制端包括CPU、电源芯片PMI，

所述CPU和所述PMI相连接，并和所述MOS管的栅极相连接，所述CPU用于接收可穿戴设备的输入指令，并向与所述MOS管的栅极输出所述输入指令对应的电位，以控制所述MOS管的导通状态；

所述PMI分别和NMOS的漏极、充电接口的电源接线VBUS、负极和公共端相连接。

4.一种充电散热方法，其特征在于，应用于权利要求3所述的充电散热电路，所述充电散热方法包括以下步骤：

在可穿戴设备进行充电的过程中，确定所述CPU是否接收到所述可穿戴设备的输入指令；

若所述CPU接收到所述输入指令，则通过所述CPU调节所述MOS管栅极的电位；

若所述电位为低电位，则控制所述PMI通过所述充电接口的VBUS进行充电，其中，所述PMOS管导通，所述NMOS管关闭，所述风扇系统进入运行状态。

5.如权利要求4所述的充电散热方法，其特征在于，所述根据所述输入指令确定所述CPU与所述MOS管栅极的电位的步骤之后，包括：

若所述电位为高电位，则控制所述PMI通过所述充电接口的正极进行充电，其中，所述NMOS管导通，所述PMOS管关闭，所述风扇系统进入停止状态。

6.如权利要求4所述的充电散热方法，其特征在于，所述输入指令包括开启指令和关闭指令，

所述若所述CPU接收到所述输入指令，则通过所述CPU调节所述MOS管栅极的电位的步骤，包括：

若所述CPU接收到开启指令，则通过所述CPU将所述MOS管栅极的电位调节为低电位；

若所述CPU接收到关闭指令，则通过所述CPU将所述MOS管栅极的电位调节为高电位。

7.如权利要求4所述的充电散热方法，其特征在于，所述确定所述CPU是否接收到所述可穿戴设备的输入指令的步骤之后，包括：

若所述CPU未接收到所述可穿戴设备的输入指令，则所述PMI通过所述充电接口的正极进行充电，所述风扇系统处于停止状态。

8.如权利要求7所述的充电散热方法，其特征在于，所述若所述CPU未接收到所述可穿戴设备的输入指令，则所述PMI通过所述充电接口的正极进行充电，所述风扇系统处于停止状态的步骤，包括：

若所述CPU未接收到所述可穿戴设备的输入指令，则根据所述CPU输出的高电位控制所述PMI通过所述充电接口的正极进行充电，其中，所述NMOS管导通，所述PMOS管关闭，所述风扇系统进入停止状态。

9.一种可穿戴设备，其特征在于，所述可穿戴设备包括：

存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序；

所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求4至8中任一项所述的充电散热方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至8中任一项所述的充电散热方法的步骤。