[发明专利]PN结样品的获取方法

说明书

本发明提供了一种PN结样品的获取方法。通过在预制备体的互连结构层中形成开窗，以使蚀刻溶液可以通过开窗，实现从预制备体的顶部和PN结进行反应，因此在将预制备体浸入至蚀刻溶液之前可以不执行切割过程，有效减少了切割工艺的执行次数，并且在PN结和蚀刻溶液进行反应时，PN结的截面可以不暴露出，从而可以避免PN结的截面被蚀刻溶液污染。此外，针对预制备体中具有多个PN结的情况，则可以使多个PN结同时与蚀刻溶液反应，有利于对反应时间进行统一调控，降低PN结样品的获取难度。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种PN结样品的获取方法。

背景技术

任何一种结型半导体器件的设计和制造总是同PN结紧密的联系在一起，因此PN结的质量检测对芯片的制程控制、工艺改进以及结型半导体器件的失效分析至关重要。目前，针对PN结的检测往往需要采用结蚀刻(junction stain)的方法，以将P型半导体区和N型半导体区分开。

具体的，图1a～图1c为现有的一种获取PN结样品过程中的结构示意图，参考图1a～图1c所示，在获取PN结样品时，目前通常采用的方法包括如下步骤。

步骤一，如图1a所示，提供预制备体10，所述预制备体10中形成有PN结。

步骤二，继续参考图1a所示，对所述预制备体10中对应于PN结的区域执行第一次切割过程，以形成暴露出PN结的片状样品20。

需要说明的是，在后续步骤中，需要将暴露有PN结的预制备体10浸入至蚀刻溶液中，因此通过所述第一次切割过程，是在所述PN结区域的两侧挖槽以形成片状样品20，所述片状样品20仍然与预制备体10的母体连接。

步骤三，将所述预制备体10浸入至蚀刻溶液中，所述蚀刻溶液与片状样品20中的PN结反应，以使PN结的界面显现出。

应当认识到，在PN结和刻蚀溶液进行反应时，决定反应时间的其中一个因素是片状样品20的厚度，因此可根据片状样品20的厚度对应的调整反应时间。

步骤四，具体参考图1b所示，对所述预制备体10执行第二次切割过程，以使含有PN结区域的片状样品20与预制备体10的母体分离，形成PN结样品。

由此可见，传统的PN结样品的获取方法中，在将对应的片状样品浸入至蚀刻溶液之前和浸入至蚀刻溶液之后均需要执行切割过程，其获取过程较为繁琐。尤其是，在针对预制备体10中具有至少两个PN结时，则需要循环多次执行步骤二至步骤四，以分别获取多个PN结样品，此时将会产生更多的问题，例如会存在如下技术问题：

1、针对每一PN结而言，均需要在对应的片状样品浸入蚀刻溶液之前和浸入蚀刻溶液之后都执行切割过程，从而造成切割设备的资源浪费；

2、针对不同的PN结而言，不同次的切割过程不可避免的会使所得到的片状样品的厚度不同，此时会导致不同的片状样品与刻蚀溶液的反应时间难以统一；

3、暴露出的PN结浸入至蚀刻溶液中，容易污染PN结的截面；尤其是，针对多个PN结样品需要依次浸入至蚀刻溶液中时，会在蚀刻溶液中残留大量的污染物，那么在将下一PN结的片状样品浸入至蚀刻溶液中进行反应时，则下一PN结的片状样品将会被严重污染。

例如参考图1c所示，大量污染物附着在PN结的截面上(具体参考图1c中的虚线框所示)，不仅会导致PN结的界面显示效果不佳，并且还会影响后续对PN结的观测。

发明内容

本发明的目的在于提供一种PN结样品的获取方法，以解决现有的PN结样品的获取方法中需要执行多次的切割过程、PN结样品容易被污染以及PN结和蚀刻溶液的反应时间难以统一的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种PN结样品的获取方法，包括：